продукты Поставщики Sign in Register

KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Установил поставщика пятна в Китае, CO. ТЕХНОЛОГИИ YJDN, Ltd в 2008. Один из самых больших раздатчиков электронных блоков в Гонконге и Шэньчжэне, China.YDJN обеспечивает полный разряд обслуживания для

Manufacturer from China
Активный участник
3 лет
Главная продукты. Профиль Компании Контроль качества Свяжитесь с нами Запрос цены:
Русский язык
Главная / продукты / Field Effect Transistor /

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля FDY101PZ одиночные

Категории продукта

Интегральные микросхемы

 [2964]

Микросхема памяти

 [2994]

Сетноой-аналогов амортизатор IC

 [2489]

Микроконтроллеры и врезанные процессоры

 [2717]

Полевой транзистор

 [1605]

Силовой модуль БТИЗ

 [1002]

Триод диода

 [300]

Общецелевой конденсатор

 [40]

Соединения соединителей

 [83]

Индуктор силы SMD

 [100]

Компонент реле

 [112]

Взрыватели защиты сети

 [186]
контакт
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED
Страна/регион:china
Контактное лицо:MissVicky
контактная информация
контакт
China MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля FDY101PZ одиночные wholesale
  • China MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля FDY101PZ одиночные wholesale

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля FDY101PZ одиночные
Спросите последнюю цену
Номер детали :FDY101PZ
Изготовитель :Полупроводник Fairchild/ON
Описание :MOSFET P-CH 20V 0.15A SC-89
Категория :Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Семья :Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Серия :PowerTrench®
Место происхождения :Оригинал
Количество минимального заказа :Могущий быть предметом переговоров
Срок поставки :Могущий быть предметом переговоров
Условия оплаты :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram
Способность поставки :100000
more
контакт

Add to Cart
Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Спецификации FDY101PZ

Состояние части Активный
Тип FET P-канал
Технология MOSFET (металлическая окись)
Стеките к напряжению тока источника (Vdss) 20V
Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C 150mA (животики)
Напряжение тока привода (максимальный Rds дальше, минимальный Rds дальше) 1.5V, 4.5V
Id Vgs (th) (Макс) @ 1.5V @ 250µA
Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs 1.4nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds 100pF @ 10V
Vgs (Макс) ±8V
Особенность FET -
Диссипация силы (Макс) 625mW (животики)
Rds на (Макс) @ id, Vgs 8 омов @ 150mA, 4.5V
Рабочая температура -55°C | 150°C (TJ)
Устанавливать тип Поверхностный держатель
Пакет прибора поставщика SC-89-3
Пакет/случай SC-89, SOT-490
Пересылка UPS/EMS/DHL/FedEx срочное.
Условие Новая первоначальная фабрика.

Упаковка FDY101PZ

Обнаружение

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля FDY101PZ одиночныеMOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля FDY101PZ одиночныеMOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля FDY101PZ одиночныеMOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля FDY101PZ одиночные

Метки товара:

junction field effect transistor

feild effect transistor

irf mosfet
Запрос Корзина 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4