KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Установил поставщика пятна в Китае, CO. ТЕХНОЛОГИИ YJDN, Ltd в 2008. Один из самых больших раздатчиков электронных блоков в Гонконге и Шэньчжэне, China.YDJN обеспечивает полный разряд обслуживания для

Manufacturer from China
Активный участник
3 лет
Главная / продукты / Field Effect Transistor /

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SI4472DY-T1-GE3 одиночные

контакт
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED
Страна/регион:china
Контактное лицо:MissVicky
контакт

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SI4472DY-T1-GE3 одиночные

Спросите последнюю цену
Номер детали :SI4472DY-T1-GE3
Изготовитель :Vishay Siliconix
Описание :MOSFET N-CH 150V 7.7A 8-SOIC
Категория :Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Семья :Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Место происхождения :Оригинал
Количество минимального заказа :Могущий быть предметом переговоров
Срок поставки :Могущий быть предметом переговоров
Условия оплаты :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram
Способность поставки :100000
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Спецификации SI4472DY-T1-GE3

Состояние части Активный
Тип FET N-канал
Технология MOSFET (металлическая окись)
Стеките к напряжению тока источника (Vdss) 150V
Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C 7.7A (Tc)
Напряжение тока привода (максимальный Rds дальше, минимальный Rds дальше) 8V, 10V
Id Vgs (th) (Макс) @ 4.5V @ 250µA
Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs 43nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds 1735pF @ 50V
Vgs (Макс) ±20V
Особенность FET -
Диссипация силы (Макс) 3.1W (животики), 5.9W (Tc)
Rds на (Макс) @ id, Vgs 45 mOhm @ 5A, 10V
Рабочая температура -55°C | 150°C (TJ)
Устанавливать тип Поверхностный держатель
Пакет прибора поставщика 8-SO
Пакет/случай 8-SOIC (0,154", ширина 3.90mm)
Пересылка UPS/EMS/DHL/FedEx срочное.
Условие Новая первоначальная фабрика.

Упаковка SI4472DY-T1-GE3

Обнаружение

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SI4472DY-T1-GE3 одиночныеMOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SI4472DY-T1-GE3 одиночныеMOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SI4472DY-T1-GE3 одиночныеMOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SI4472DY-T1-GE3 одиночные

Запрос Корзина 0