продукты Поставщики Sign in Register

KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Установил поставщика пятна в Китае, CO. ТЕХНОЛОГИИ YJDN, Ltd в 2008. Один из самых больших раздатчиков электронных блоков в Гонконге и Шэньчжэне, China.YDJN обеспечивает полный разряд обслуживания для

Manufacturer from China
Активный участник
3 лет
Главная продукты. Профиль Компании Контроль качества Свяжитесь с нами Запрос цены:
Русский язык
Главная / продукты / Field Effect Transistor /

Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля FTCO3V455A1

Категории продукта

Интегральные микросхемы

 [2964]

Микросхема памяти

 [2994]

Сетноой-аналогов амортизатор IC

 [2489]

Микроконтроллеры и врезанные процессоры

 [2717]

Полевой транзистор

 [1605]

Силовой модуль БТИЗ

 [1002]

Триод диода

 [300]

Общецелевой конденсатор

 [40]

Соединения соединителей

 [83]

Индуктор силы SMD

 [100]

Компонент реле

 [112]

Взрыватели защиты сети

 [186]
контакт
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED
Страна/регион:china
Контактное лицо:MissVicky
контактная информация
контакт
China Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля FTCO3V455A1 wholesale
  • China Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля FTCO3V455A1 wholesale

Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля FTCO3V455A1
Спросите последнюю цену
Номер детали :FTCO3V455A1
Изготовитель :Полупроводник Fairchild/ON
Описание :МОДУЛЬ MOSFET 6N-CH 40V 150A
Категория :Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
Семья :Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
Серия :SPM®
Место происхождения :Оригинал
Количество минимального заказа :Могущий быть предметом переговоров
Срок поставки :Могущий быть предметом переговоров
Условия оплаты :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram
Способность поставки :100000
more
контакт

Add to Cart
Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Спецификации FTCO3V455A1

Состояние части Активный
Тип FET N-канал 6 (трехфазный мост)
Особенность FET Ворота уровня логики
Стеките к напряжению тока источника (Vdss) 40V
Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C 150A
Rds на (Макс) @ id, Vgs mOhm 1,66 @ 80A, 10V
Id Vgs (th) (Макс) @ -
Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs -
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds -
Сила - Макс 115W
Рабочая температура 175°C (TJ)
Устанавливать тип Через отверстие
Пакет/случай модуль 19-PowerDIP
Пакет прибора поставщика Модуль
Пересылка UPS/EMS/DHL/FedEx срочное.
Условие Новая первоначальная фабрика.

Упаковка FTCO3V455A1

Обнаружение

Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля FTCO3V455A1Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля FTCO3V455A1Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля FTCO3V455A1Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля FTCO3V455A1

Метки товара:

pnp transistor array

darlington transistor array

metal oxide semiconductor field effect transistor
Запрос Корзина 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4