продукты Поставщики Sign in Register

KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Установил поставщика пятна в Китае, CO. ТЕХНОЛОГИИ YJDN, Ltd в 2008. Один из самых больших раздатчиков электронных блоков в Гонконге и Шэньчжэне, China.YDJN обеспечивает полный разряд обслуживания для

Manufacturer from China
Активный участник
3 лет
Главная продукты. Профиль Компании Контроль качества Свяжитесь с нами Запрос цены:
Русский язык
Главная / продукты / Field Effect Transistor /

Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля RJM0603JSC-00#12

Категории продукта

Интегральные микросхемы

 [2722]

Микросхема памяти

 [2976]

Сетноой-аналогов амортизатор IC

 [2489]

Микроконтроллеры и врезанные процессоры

 [2668]

Полевой транзистор

 [1586]

Силовой модуль БТИЗ

 [963]

Триод диода

 [291]

Общецелевой конденсатор

 [40]

Соединения соединителей

 [83]

Индуктор силы SMD

 [96]

Компонент реле

 [112]

Взрыватели защиты сети

 [178]
контакт
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED
Страна/регион:china
Контактное лицо:MissVicky
контактная информация
контакт
China Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля RJM0603JSC-00#12 wholesale
  • China Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля RJM0603JSC-00#12 wholesale

Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля RJM0603JSC-00#12
Спросите последнюю цену
Номер детали :RJM0603JSC-00#12
Изготовитель :Электроника Америка Renesas
Описание :MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP
Категория :Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
Семья :Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
Серия :Автомобильный, AEC-Q101
Место происхождения :Оригинал
Количество минимального заказа :Могущий быть предметом переговоров
Срок поставки :Могущий быть предметом переговоров
Условия оплаты :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram
Способность поставки :100000
more
контакт

Add to Cart
Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Спецификации RJM0603JSC-00#12

Состояние части Активный
Тип FET P-канал 3 n и 3 (трехфазный мост)
Особенность FET Ворота уровня логики, привод 4.5V
Стеките к напряжению тока источника (Vdss) 60V
Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C 20A
Rds на (Макс) @ id, Vgs 20 mOhm @ 10A, 10V
Id Vgs (th) (Макс) @ 2.5V @ 1mA
Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs 43nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds 2600pF @ 10V
Сила - Макс 54W
Рабочая температура 175°C
Устанавливать тип Поверхностный держатель
Пакет/случай (0,433", ширина 11.00mm), который подвергли действию пусковая площадка 20-SOIC
Пакет прибора поставщика 20-HSOP
Пересылка UPS/EMS/DHL/FedEx срочное.
Условие Новая первоначальная фабрика.

Упаковка RJM0603JSC-00#12

Обнаружение

Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля RJM0603JSC-00#12Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля RJM0603JSC-00#12Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля RJM0603JSC-00#12Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля RJM0603JSC-00#12

Метки товара:

npn transistor array

darlington transistor array

junction field effect transistor
Запрос Корзина 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4