продукты Поставщики Sign in Register

KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Установил поставщика пятна в Китае, CO. ТЕХНОЛОГИИ YJDN, Ltd в 2008. Один из самых больших раздатчиков электронных блоков в Гонконге и Шэньчжэне, China.YDJN обеспечивает полный разряд обслуживания для

Manufacturer from China
Активный участник
3 лет
Главная продукты. Профиль Компании Контроль качества Свяжитесь с нами Запрос цены:
Русский язык
Главная / продукты / Field Effect Transistor /

Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля AOD609

Категории продукта

Интегральные микросхемы

 [2964]

Микросхема памяти

 [2994]

Сетноой-аналогов амортизатор IC

 [2489]

Микроконтроллеры и врезанные процессоры

 [2717]

Полевой транзистор

 [1605]

Силовой модуль БТИЗ

 [1002]

Триод диода

 [300]

Общецелевой конденсатор

 [40]

Соединения соединителей

 [83]

Индуктор силы SMD

 [100]

Компонент реле

 [112]

Взрыватели защиты сети

 [186]
контакт
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED
Страна/регион:china
Контактное лицо:MissVicky
контактная информация
контакт
China Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля AOD609 wholesale
  • China Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля AOD609 wholesale

Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля AOD609
Спросите последнюю цену
Номер детали :AOD609
Изготовитель :& альфы; Омега Полупроводник Inc.
Описание :MOSFET N/P-CH 40V 12A TO252-4
Категория :Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
Семья :Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
Место происхождения :Оригинал
Количество минимального заказа :Могущий быть предметом переговоров
Срок поставки :Могущий быть предметом переговоров
Условия оплаты :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram
Способность поставки :100000
more
контакт

Add to Cart
Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Спецификации AOD609

Состояние части Активный
Тип FET N и P-канал, общий сток
Особенность FET Ворота уровня логики
Стеките к напряжению тока источника (Vdss) 40V
Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C 12A
Rds на (Макс) @ id, Vgs 30 mOhm @ 12A, 10V
Id Vgs (th) (Макс) @ 3V @ 250µA
Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs 10.8nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds 650pF @ 20V
Сила - Макс 2W
Рабочая температура -55°C | 175°C (TJ)
Устанавливать тип Поверхностный держатель
Пакет/случай TO-252-5, DPak (4 руководства + платы), TO-252AD
Пакет прибора поставщика TO-252-4L
Пересылка UPS/EMS/DHL/FedEx срочное.
Условие Новая первоначальная фабрика.

Упаковка AOD609

Обнаружение

Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля AOD609Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля AOD609Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля AOD609Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля AOD609

Метки товара:

junction field effect transistor

pnp transistor array

what is field effect transistor
Запрос Корзина 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4