продукты Поставщики Sign in Register

KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Установил поставщика пятна в Китае, CO. ТЕХНОЛОГИИ YJDN, Ltd в 2008. Один из самых больших раздатчиков электронных блоков в Гонконге и Шэньчжэне, China.YDJN обеспечивает полный разряд обслуживания для

Manufacturer from China
Активный участник
4 лет
Главная продукты. Профиль Компании Контроль качества Свяжитесь с нами Запрос цены:
Русский язык
Главная / продукты / Field Effect Transistor /

Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SI7216DN-T1-GE3

Категории продукта

Интегральные микросхемы

 [2722]

Микросхема памяти

 [2976]

Сетноой-аналогов амортизатор IC

 [2489]

Микроконтроллеры и врезанные процессоры

 [2668]

Полевой транзистор

 [1586]

Силовой модуль БТИЗ

 [963]

Триод диода

 [291]

Общецелевой конденсатор

 [40]

Соединения соединителей

 [83]

Индуктор силы SMD

 [96]

Компонент реле

 [112]

Взрыватели защиты сети

 [178]
контакт
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED
Страна/регион:china
Контактное лицо:MissVicky
контактная информация
контакт
China Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SI7216DN-T1-GE3 wholesale
  • China Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SI7216DN-T1-GE3 wholesale

Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SI7216DN-T1-GE3
Спросите последнюю цену
Номер детали :SI7216DN-T1-GE3
Изготовитель :Vishay Siliconix
Описание :MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212-8
Категория :Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
Семья :Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
Серия :TrenchFET®
Место происхождения :Оригинал
Количество минимального заказа :Могущий быть предметом переговоров
Срок поставки :Могущий быть предметом переговоров
Условия оплаты :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram
Способность поставки :100000
more
контакт

Add to Cart
Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Спецификации SI7216DN-T1-GE3

Состояние части Активный
Тип FET N-канал 2 (двойной)
Особенность FET Стандарт
Стеките к напряжению тока источника (Vdss) 40V
Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C 6A
Rds на (Макс) @ id, Vgs 32 mOhm @ 5A, 10V
Id Vgs (th) (Макс) @ 3V @ 250µA
Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs 19nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds 670pF @ 20V
Сила - Макс 20.8W
Рабочая температура -50°C | 150°C (TJ)
Устанавливать тип Поверхностный держатель
Пакет/случай PowerPAK® 1212-8 двойное
Пакет прибора поставщика PowerPAK® 1212-8 двойное
Пересылка UPS/EMS/DHL/FedEx срочное.
Условие Новая первоначальная фабрика.

Упаковка SI7216DN-T1-GE3

Обнаружение

Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SI7216DN-T1-GE3Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SI7216DN-T1-GE3Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SI7216DN-T1-GE3Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SI7216DN-T1-GE3

Метки товара:

mosfet array

mosfet array ic

npn transistor array
Запрос Корзина 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4