PDTA114ET-QR

Спросите последнюю цену

Категория :Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы Биполярный (BJT) Одиночные биполярные транзисторы с

Ток - коллектор (Ic) (макс.) :100 МА

Статус продукта :Активный

Тип транзистора :ПНП - предвзятое

Частота - переходный период :180 MHz

Тип установки :Поверхностный монтаж

Пакет :Лента и катушка (TR)

Серия :Автомобиль, AEC-Q101

Vce Насыщение (макс.) @ Ib, Ic :150mV @ 500μA, 10mA

Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.) :50 В

Пакет изделий поставщика :TO-236AB

Резистор - основа (R1) :10 kOhms

Мфр :Нексперия США Инк.

Резистор - база излучателя (R2) :10 kOhms

Ток - предел коллектора (макс.) :1µA

Мощность - Макс :250 мВт

Пакет / чемодан :TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Увеличение тока постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce :30 @ 5mA, 5В

Номер базовой продукции :PDTA114

Описание :PDTA114ET-Q/SOT23/TO-236AB

Запасы :В наличии

Способ перевозки :LCL, AIR, FCL, Express

Условия оплаты :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union,

контакт

Add to Cart

Посмотреть описание продукта

Предварительно предвзятый биполярный транзистор (BJT) PNP - Предварительно предвзятый 50 V 100 mA 180 MHz 250 mW Поверхностный монтаж TO-236AB

Запрос Корзина 0

Интегральные схемаы