1.05 ГГц Силиконовый RF Power MOSFET V серии для приложения RF на поверхности

Спросите последнюю цену

Категория :Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET

Статус продукта :Активный

Тип установки :Поверхностный монтаж

Напряжение - номинальное :150 В

Пакет :Насыщенные

Конфигурация :-

Серия :V

Число шума :-

Пакет изделий поставщика :55-КР

Напряжение тока - тест :54 v

Мфр :Технология микрочипов

Частота :10,025 ГГц ~ 1,15 ГГц

Прибыль :190,3 дБ

Пакет / чемодан :55-КР

Настоящий - тест :120 мА

Мощность - выход :825 Вт

Технологии :-

Регулируемый ток (ампер) :-

Описание :TRAN, GAN, 1030/1090 MHZ, 800 Вт,

Запасы :В наличии

Способ перевозки :LCL, AIR, FCL, Express

Условия оплаты :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union,

контакт

Add to Cart

Посмотреть описание продукта

RF Mosfet 54 V 120 mA 1,025 ГГц ~ 1,15 ГГц 19,3 дБ 825 Вт 55-КР

Запрос Корзина 0

Интегральные схемаы