Устаревший LDMOS RF FET 110V 60W Транзистор поверхностного монтажа 1GHz 18dB Прибыль для усиления RF

Спросите последнюю цену

Категория :Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET

Статус продукта :Старый

Тип установки :Поверхностный монтаж

Напряжение - номинальное :110 В

Пакет :Лента и катушка (TR)

Серия :-

Число шума :-

Пакет изделий поставщика :4-HSOP

Напряжение тока - тест :50 В

Мфр :Амплеон США Инк.

Частота :1 ГГц

Прибыль :18dB

Пакет / чемодан :4-BESOP (0,173", 4,40 мм в ширину)

Настоящий - тест :40 мА

Мощность - выход :60 Вт

Технологии :ldmos

Регулируемый ток (ампер) :1,4 мкА

Номер базовой продукции :BLP10

Описание :RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOP

Запасы :В наличии

Способ перевозки :LCL, AIR, FCL, Express

Условия оплаты :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union,

контакт

Add to Cart

Посмотреть описание продукта

RF Mosfet 50 V 40 mA 1 ГГц 18 дБ 60 Вт 4-HSOP

Запрос Корзина 0

Интегральные схемаы