Технологии Infineon 1.2-1.4GHz 350W Двойные LDMOS RF FETs Транзисторы поверхности

Спросите последнюю цену

Категория :Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET

Статус продукта :Старый

Тип установки :Поверхностный монтаж

Напряжение - номинальное :105 v

Пакет :Поднос

Конфигурация :ДВОЙНО

Серия :-

Число шума :-

Пакет изделий поставщика :H-37248-2

Мфр :Инфинеон Технологии

Частота :1.2 ГГц ~ 1.4 ГГц

Прибыль :17 дБ

Пакет / чемодан :2-Плоская сумка, с крыльями, с фланцами

Мощность - выход :350 Вт

Технологии :ldmos

Регулируемый ток (ампер) :10µA

Описание :IC AMP RF LDMOS

Запасы :В наличии

Способ перевозки :LCL, AIR, FCL, Express

Условия оплаты :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union,

контакт

Add to Cart

Посмотреть описание продукта

RF Mosfet 1,2 ГГц ~ 1,4 ГГц 17 дБ 350 Вт H-37248-2

Запрос Корзина 0

Интегральные схемаы