Мощность LDMOS RF FET Транзисторы Поднос для шасси 55 Вт Выход 1,81-1,88 ГГц Частота 18 дБ Прибыль 65 В

Спросите последнюю цену

Категория :Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET

Статус продукта :Старый

Тип установки :Подвеска на шасси

Напряжение - номинальное :65 v

Пакет :Поднос

Серия :-

Число шума :-

Пакет изделий поставщика :SOT502A

Напряжение тока - тест :28 В

Мфр :Амплеон США Инк.

Частота :10,81 ГГц ~ 1,88 ГГц

Прибыль :18dB

Пакет / чемодан :SOT-502A

Настоящий - тест :1.62 А

Мощность - выход :55 Вт

Технологии :ldmos

Регулируемый ток (ампер) :-

Номер базовой продукции :BLF7G20

Описание :FET LDMOS 65V 18DB SOT502A RF

Запасы :В наличии

Способ перевозки :LCL, AIR, FCL, Express

Условия оплаты :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union,

контакт

Add to Cart

Посмотреть описание продукта

RF Mosfet 28 V 1.62 A 1.81 ГГц ~ 1.88 ГГц 18 дБ 55 Вт SOT502A

Запрос Корзина 0

Интегральные схемаы