Главная / продукты / Discrete Semiconductor Products / Infineon Technologies LDMOS FET 65V 2.14GHz 15.8dB Gain Transistor for RF Power Amplification (ЛДМОС FET 65V 2.14ГГц 15.8 дБ) - трансмиссионный транзистор для усиления мощности радиочастотного тока /

show pictures

Категории продукта

Интегральные схемаы

Логика IC

Соединители IC

Датчик интегральной схемаы

RF и радиотелеграф

Полупроводник IC

Датчики и преобразователи

Защита сети IC

Оптоэлектроника

Дискретные продукты полупроводника

контакт

Shenzhen Yudatong Trading Co., Ltd.

Город:shenzhen

Область/Штат:guangdong

Страна/регион:china

Контактное лицо:MrDong Chris

контактная информация

контакт

Infineon Technologies LDMOS FET 65V 2.14GHz 15.8dB Gain Transistor for RF Power Amplification (ЛДМОС FET 65V 2.14ГГц 15.8 дБ) - трансмиссионный транзистор для усиления мощности радиочастотного тока

Infineon Technologies LDMOS FET 65V 2.14GHz 15.8dB Gain Transistor for RF Power Amplification (ЛДМОС FET 65V 2.14ГГц 15.8 дБ) - трансмиссионный транзистор для усиления мощности радиочастотного тока

продукты подробные

RF Mosfet 30 V 1,6 A 2,14 ГГц 15,8 дБ 50 Вт H-37260-2

список продуктов, подробные →

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4