Микрочип 170 В Активный MOSFET N-канал трубки 600 Вт Мощность RF транзистор 80 МГц Частота 21 дБ Прибыль.

Спросите последнюю цену

Категория :Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET

Статус продукта :Активный

Конфигурация :N-канал

Напряжение - номинальное :170 В

Пакет :Трубка

Серия :-

Число шума :-

Пакет изделий поставщика :T2

Напряжение тока - тест :50 В

Мфр :Технология микрочипов

Частота :80MHz

Прибыль :21dB

Пакет / чемодан :T2

Настоящий - тест :800 мА

Мощность - выход :600 Вт

Технологии :MOSFET

Регулируемый ток (ампер) :4 мА

Номер базовой продукции :VRF157

Описание :MOSFET RF PWR N-CH 50V 600W T2

Запасы :В наличии

Способ перевозки :LCL, AIR, FCL, Express

Условия оплаты :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union,

контакт

Add to Cart

Посмотреть описание продукта

RF Mosfet 50 В 800 мА 80 МГц 21 дБ 600 Вт T2

Запрос Корзина 0

Интегральные схемаы