Устаревшие GaAs HJ FET RF FETs 2GHz 18dBm Выход мощности 14dB Прибыль SOT-343F Производитель полупроводниковCEL

Спросите последнюю цену

Категория :Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET

Статус продукта :Старый

Напряжение - номинальное :4 В

Пакет :Насыщенные

Серия :-

Число шума :0.45 дБ

Пакет изделий поставщика :F4TSMM, M04

Напряжение тока - тест :2 v

Мфр :КЛЭ

Частота :2 ГГц

Прибыль :14 дБ

Пакет / чемодан :SOT-343F

Настоящий - тест :10 мА

Мощность - выход :18dBm

Технологии :GaAs HJ-FET

Регулируемый ток (ампер) :120 мА

Описание :FET RF 4V 2GHz 4-TSMM

Запасы :В наличии

Способ перевозки :LCL, AIR, FCL, Express

Условия оплаты :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union,

контакт

Add to Cart

Посмотреть описание продукта

RF Mosfet 2 В 10 мА 2 ГГц 14 дБ 18 дБм F4TSMM, M04

Запрос Корзина 0

Интегральные схемаы