продукты Поставщики Sign in Register

TOP Electronic Industry Co., Ltd.

ВЕРХНЯЯ ЧАСТЬ профессиональный раздатчик электронных блоков в Китае. мы предлагаем универсальное обслуживание решения, от модулей связи, антенн, ПКБ, ПКБА, и всех компонентов для ПКБ Бом.

Manufacturer from China
Проверенные Поставщика
11 лет
Главная продукты. Профиль Компании Контроль качества Свяжитесь с нами Запрос цены:
Русский язык
Главная / продукты / IGBT Power Module / NH1GG69V250P 1250V 250A SiC MOSFET модуль низкий Rds ((on) 3.3mΩ Быстрое переключение высокая частота низкая потеря высокая плотность мощности промышленный класс Для фотоэлектрических инверторов и двигателей /

show pictures

Категории продукта

Силовой модуль БТИЗ

 [91]

компоненты интегральной схемаы

 [351]

Пассивные электронные блоки

 [88]

высокая антенна gps увеличения

 [14]

беспроводная антенна связи

 [32]

комбинированная антенна

 [16]

Антенна низкой частоты

 [8]

Антенна цифров TV

 [7]

РФ коаксиальный кабель

 [10]

коаксиловый разъем rf

 [10]

Услуги агрегат PCB

 [8]

Терминал разъемы блока

 [24]
контакт
TOP Electronic Industry Co., Ltd.
Посетите вебсайт
Страна/регион:china
Контактное лицо:MrsNatasha
контактная информация
контакт

NH1GG69V250P 1250V 250A SiC MOSFET модуль низкий Rds ((on) 3.3mΩ Быстрое переключение высокая частота низкая потеря высокая плотность мощности промышленный класс Для фотоэлектрических инверторов и двигателей
NH1GG69V250P 1250V 250A SiC MOSFET модуль низкий Rds ((on) 3.3mΩ Быстрое переключение высокая частота низкая потеря высокая плотность мощности промышленный класс Для фотоэлектрических инверторов и двигателей
  • NH1GG69V250P 1250V 250A SiC MOSFET модуль низкий Rds ((on) 3.3mΩ Быстрое переключение высокая частота низкая потеря высокая плотность мощности промышленный класс Для фотоэлектрических инверторов и двигателей
  • NH1GG69V250P 1250V 250A SiC MOSFET модуль низкий Rds ((on) 3.3mΩ Быстрое переключение высокая частота низкая потеря высокая плотность мощности промышленный класс Для фотоэлектрических инверторов и двигателей
  • NH1GG69V250P 1250V 250A SiC MOSFET модуль низкий Rds ((on) 3.3mΩ Быстрое переключение высокая частота низкая потеря высокая плотность мощности промышленный класс Для фотоэлектрических инверторов и двигателей
  • NH1GG69V250P 1250V 250A SiC MOSFET модуль низкий Rds ((on) 3.3mΩ Быстрое переключение высокая частота низкая потеря высокая плотность мощности промышленный класс Для фотоэлектрических инверторов и двигателей
  • NH1GG69V250P 1250V 250A SiC MOSFET модуль низкий Rds ((on) 3.3mΩ Быстрое переключение высокая частота низкая потеря высокая плотность мощности промышленный класс Для фотоэлектрических инверторов и двигателей
  • NH1GG69V250P 1250V 250A SiC MOSFET модуль низкий Rds ((on) 3.3mΩ Быстрое переключение высокая частота низкая потеря высокая плотность мощности промышленный класс Для фотоэлектрических инверторов и двигателей
продукты подробные
NH1GG69V250P 1250V 250A SiC MOSFET модуль низкий Rds ((on) 3.3mΩ Быстрое переключение высокая частота низкая потеря высокая плотность мощности промышл...
список продуктов, подробные →

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2026 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备2020037340号-5