VBE Technology Shenzhen Co., Ltd.
VBE TECHNOLOGY SHENZHEN CO., LTD Leading Intelligent RF Security Solutions Provider
Add to Cart
К-диапазон 3625 - 4200МХз РФ Даунконвертер, Л-диапазон 950МХз - 1525МХз РФ Даунконвертер, модуль усилителя силы РФ
Инструкции модуля усилителя силы ВБЭ РФ:
Решения ВБЭ модулей РФ включая источник сигнала радиочастоты, усилитель силы радиочастоты (ПА), малошумный усилитель (ЛНА), блок радиочастоты на открытом воздухе (ОДУ) и подгонянное решение модуля радиочастоты, диапазон П-волны крышки частотной полосы, диапазон Л-волны, диапазон С-волны, диапазон Ку-волны и Ка-волну соединяют и так далее, широко применяющся в лидирующей системе оборудования. Модуль принимает нескольк передовой технологии в продукте конструируя и удовлетворяет различное требование функции и рабочего параметра.
Технические данные:
К-диапазон 3625 - 4200МХз РФ Даунконвертер:
| Деталь | Индекс | Примечания |
| Ряд ИньпутФрекенси | 3625МХз~4200МХз | |
| Ряд ОутпутФрекенси | 70МХз±20МХз | |
| Шаг частоты | 1МХз /125KHz/1KHz | |
| Обжатие дБ П1 | ≥+10дБм | Дискретный |
| Избыточный коэффициент воспроизводства | 30дБ~50дБ | |
| Регулирование коэффициента усиления | 50дБ/30дБ, шаг 1дБ/0.5дБ | Дискретный |
| Плоскостность увеличения | ±2.5дБ/Ин-банд, ±0.8дБ/40МХз | Дискретный |
| Стабильность увеличения | ±0.5дБ | |
| Стабильность частоты | ±1×10-7/еар, ±1×10-8/дай | |
| Шум участка | -70дБк/Хз @100Хз, -75дБк/Хз @1КХз, -80дБк/Хз @10КХз, -90дБк/Хз @100КХз |
|
| Утечка ЛО | ≤-70дБм | |
| Паразитный выход | ≤-60дБк | |
| интермодуляция Мульти-несущей | ≤-50дБк (сила 0дБм суммарного производства Двойн-несущей) | |
| Сброс изображения | ≤-75дБк | |
| Соединитель | СМА/Н/БНК | Дискретный |
| Возвращенная потеря | ≥ 20дБ | |
| Электропитание | АК 153В~265В | |
| Расход энергии | ≤40В | |
| Работая температура | 0~50дегре Градус цельсия | |
| Работая температура | -10~60 градус цельсия | |
| Размер | 500×482.6×43.7мм |
Л-диапазон 950МХз - 1525МХз РФ Даунконвертер:
| Деталь | Индекс | Примечания |
| Ряд ИньпутФрекенси | 950МХз~1525МХз | |
| Ряд ОутпутФрекенси | 70МХз±20МХз | |
| Шаг частоты | 1МХз /125KHz/1KHz | |
| Обжатие дБ П1 | ≥+10дБм | Дискретный |
| Избыточный коэффициент воспроизводства | 30дБ~50дБ | |
| Регулирование коэффициента усиления | 50дБ/30дБ, шаг 1дБ/0.5дБ | Дискретный |
| Плоскостность увеличения | ±2.0дБ/Ин-банд, ±0.5дБ/40МХз | Дискретный |
| Стабильность увеличения | ±0.25дБ | |
| Стабильность частоты | ±1×10-7/еар, ±1×10-8/дай | |
| Шум участка | -75дБк/Хз @100Хз, -80дБк/Хз @1КХз, -90дБк/Хз @10КХз, -100дБк/Хз @100КХз |
|
| Утечка ЛО | ≤-70дБм | |
| Паразитный выход | ≤-60дБк | |
| интермодуляция Мульти-несущей | ≤-45дБк (сила 0дБм суммарного производства Двойн-несущей) | |
| Сброс изображения | ≤-75дБк | |
| Соединитель | СМА/Н/БНК | Дискретный |
| Возвращенная потеря | ≥ 23дБ | |
| Электропитание | АК 153В~265В | |
| Расход энергии | ≤30В | |
| Работая температура | 0~50дегре Градус цельсия | |
| Работая температура | -10~60 градус цельсия | |
| Размер | 500×482.6×43.7мм |
Характеристики продукта:
Применения: