Категории продукта

Аналоговый чип

[20]

Диоды TVS ESD-супрессоры

[20]

Модули IGBT

[40]

Обломок интегральной схемаы

[1]

Часы и таймеры

[20]

IGBT-транзисторы

[20]

Драйверы светодиодного освещения

[19]

Управление IC силы

[20]

FPGA Field Programmable Gate Array (ФПГА полевой программируемый портальный массив)

[20]

Аналоговые коммутаторы

[19]

Диодные массивы Зенера

[20]

Биполярные РЧ-транзисторы

[20]

Термисторы PTC

[40]

Коннекторы

[20]

STMикроэлектроника

[1]

TI Texas Instruments

[1]

Микрочип

[1]

INFINEON

[1]

ADI

[1]

Чип усилителя

[20]

Беспроводные/РЧ

[20]

резистор 0402 smd

[1]

Конденсатор 0603 SMD

[1]

0603 Индуктор SMD

[1]

Индуктивность катушки

[1]

Датчик

[590]

Группа соединителей

[1]

Заряжатели батареи

[156]

LCD, OLED, график

[181]

контакт

UDEL Chips Tech Co., Ltd.

Город:shenzhen

Страна/регион:china

Контактное лицо:MissGrace Liang

контактная информация

контакт

VS-GT80DA120U Изолированные двери биполярные транзисторы Vishay полупроводники

Спросите последнюю цену

Описание :MOD 1200V 139A 658W SOT227 IGBT

Категория :Дискретные полупроводниковые изделияТрансисторыIGBTsIGBT модули

Ток - коллектор (Ic) (макс.) :139 a

Статус продукта :Активный

Тип установки :Подвеска на шасси

Пакет :Насыщенные

Серия :HEXFRED®

Пакет / чемодан :SOT-227-4, miniBLOC

Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic :2.55V @ 15V, 80A

Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.) :1200 В

Пакет изделий поставщика :SOT-227

Мфр :Полупроводник Vishay общий - разделение диодов

Операционная температура :-40 °C ~ 150 °C (TJ)

Ток - предел коллектора (макс.) :100 μA

Тип IGBT :Канава

Мощность - Макс :658 w

Ввод :Стандартный

Вводная емкость (Cies) @ Vce :4,4 нФ при 25 В

Конфигурация :Одинокий

Термистор NTC :Нет

Номер базовой продукции :GT80

контакт

Add to Cart

Посмотреть описание продукта

Модуль IGBT траншея одиночный 1200 V 139 A 658 W шасси монтаж SOT-227