Технические данные продукта
Mosfets силы полупроводников SIHF10N40D-E3 транзистора канала n дискретные
| ЕС RoHS |
Уступчивый |
| ECCN (США) |
EAR99 |
| Состояние части |
Активный |
| HTS |
8541.29.00.95 |
| Автомобильный |
Никакой |
| PPAP |
Никакой |
| Категория продукта |
MOSFET силы |
| Конфигурация |
Одиночный |
| Режим канала |
Повышение |
| Тип канала |
N |
| Количество элементов в обломок |
1 |
| Максимальное напряжение тока источника стока (v) |
400 |
| Максимальное напряжение тока источника ворот (v) |
±30 |
| Максимальное напряжение тока порога ворот (v) |
5 |
| Максимальное непрерывное течение стока (a) |
10 |
| Максимальное течение утечки источника ворот (nA) |
100 |
| Максимальное IDSS (uA) |
1 |
| Максимальное сопротивление источника стока (MOhm) |
600@10V |
| Типичная обязанность @ Vgs ворот (nC) |
15@10V |
| Типичная обязанность @ 10V ворот (nC) |
15 |
| Типичная входная емкость @ Vds (pF) |
526@100V |
| Максимальная диссипация силы (mW) |
33000 |
| Типичное время падения (ns) |
14 |
| Типичное время восхода (ns) |
18 |
| Типичное время задержки поворота- (ns) |
18 |
| Типичное время задержки включения (ns) |
12 |
| Минимальная рабочая температура (°C) |
-55 |
| Максимальная рабочая температура (°C) |
150 |
| Пакет поставщика |
TO-220FP |
| Отсчет Pin |
3 |
| Имя стандартного пакета |
TO-220 |
| Установка |
Через отверстие |
| Высота пакета |
16,12 (Макс) |
| Длина пакета |
10,63 (Макс) |
| Ширина пакета |
4,83 (Макс) |
| PCB изменил |
3 |
| Плата |
Плата |
| Форма руководства |
Через отверстие |
| Номер детали |
SIHF10N40D-E3 |
| Низкопробный номер детали |
SIHF10N40 |
| ЕС RoHS |
Уступчивый с освобождением |
| ECCN (США) |
EAR99 |
| Состояние части |
Активный |
| HTS |
8541.29.00.95
|
