Характер продукции
MOSFET FET транзистора 180A 200W HEXFET канала IRF1404ZPBF n
N-канал 180A 200W транзисторов IRF1404ZPBF через MOSFETs FETs отверстия TO-220AB HEXFET
N-канал 180A (Tc) 200W (Tc) через спецификацию отверстия TO-220AB:
Категория | Дискретные продукты полупроводника |
| | Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные |
Mfr | |
Серия | HEXFET® |
Пакет | |
Тип FET | |
Технология | MOSFET (металлическая окись) |
Стеките к напряжению тока источника (Vdss) | |
Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C | |
Напряжение тока привода (максимальный Rds дальше, минимальный Rds дальше) | |
Rds на (Макс) @ id, Vgs | |
Id Vgs (th) (Макс) @ | |
Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs | |
Vgs (Макс) | |
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds | |
Особенность FET | |
Диссипация силы (Макс) | |
Рабочая температура | |
Устанавливать тип | |
Пакет прибора поставщика | |
Пакет/случай | |
Низкопробный номер продукта | IRF1404 |
Описание
Этот MOSFET силы HEXFET® использует самые последние методы обработки достигнуть весьма - низкого на-сопротивления в зону кремния.
Дополнительные особенности этого продукта рабочая температура соединения 175°C, быстро переключая скорости и улучшенной повторяющийся оценки лавины. Эти особенности совмещают для того чтобы сделать этим дизайном весьма эффективный и надежный прибор для пользы в большом разнообразии применений.
