Характер продукции
MOSFETs FETs транзисторов TO-220AB HEXFET IRFB7440PBF 40V 120A IRFB4310PBF 100V 130A IRFB4115PBF 150v 104A
N-канал 180A 200W транзисторов через MOSFETs FETs отверстия TO-220AB HEXFET
---IRFB7440PBF 40V 120A IRFB4310PBF 100V 130A IRFB4115PBF 150v 104A
Описание:
Этот MOSFET силы HEXFET® использует самые последние методы обработки достигнуть весьма - низкого на-сопротивления в зону кремния.
Дополнительные особенности этого продукта рабочая температура соединения 175°C, быстро переключая скорости и улучшенной повторяющийся оценки лавины. Эти особенности совмещают для того чтобы сделать этим дизайном весьма эффективный и надежный прибор для пользы в большом разнообразии применений.
N-канал 180A (Tc) 200W (Tc) через спецификацию отверстия TO-220AB:
|
Категория
|
Дискретные продукты полупроводника
|
| |
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
|
|
Mfr
|
|
|
Серия
|
HEXFET®
|
|
Пакет
|
|
|
Тип FET
|
|
|
Технология
|
MOSFET (металлическая окись)
|
|
Стеките к напряжению тока источника (Vdss)
|
|
|
Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C
|
|
|
Напряжение тока привода (максимальный Rds дальше, минимальный Rds дальше)
|
|
|
Rds на (Макс) @ id, Vgs
|
|
|
Id Vgs (th) (Макс) @
|
|
|
Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs
|
|
|
Vgs (Макс)
|
|
|
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds
|
|
|
Особенность FET
|
|
|
Диссипация силы (Макс)
|
|
|
Рабочая температура
|
|
|
Устанавливать тип
|
|
|
Пакет прибора поставщика
|
|
|
Пакет/случай
|
|
|
Низкопробный номер продукта
|
IRF1404
|
