Dongguan Ampfort Electronics Co., Ltd.
Умные специалисты защиты сети вокруг вас
Add to Cart
Жалоба ROHS видимая приблизить к photosensor GB3-A1DPS пакета инфракрасн Dector пластиковому
■Характер продукции видимого для того чтобы приблизить к photosensor GB3-A1DPS пакета инфракрасн Dector пластиковому
Датчик света LXD/GB3-A1DPS имеет спектральный ответ почти только видимое для того чтобы приблизить к ряду инфракрасн, LXD/GB3-A1DPS предлагает небольшое torelance в температурах другого цвета чем обычный тип. LXD/GB3-A1DPS помещено в пластиковый пакет имея такую же форму как пакеты металла. Форма LXD/GB3-A1DPS также походит наш 5R тип видимые датчики (клетки CD фоторезистивные), поэтому LXD/GB3-A1DPS можно использовать как замена для тех видимых и близко датчиков инфракрасн.
■Особенности видимого для того чтобы приблизить к photosensor GB3-A1DPS пакета инфракрасн Dector пластиковому
* деятельность как раз как легкий для использования как фототранзистор
* понизьте выход-настоящие зыбкост сравненные с клетками фототранзисторов и CD фоторезистивными.
* превосходные линеарности, хороший линейный текущий объем производства над освещением
* небольшое torelance для источников света производящ такую же освещённость на температурах другого цвета.
* низкая темная настоящая и высокая чувствительность фото.
* RoHS уступчивое, свободная от кадми альтернатива к фотоэлементам.
■Применения видимого приблизить к photosensor GB3-A1DPS пакета инфракрасн Dector пластиковому
* внутреннее и внешнее светлое переключение (переключатель сумрака/рассвета)
* внутреннее и внешнее управление светом (затемнять)
* автомобильный затемнитель фары
* регулировка контрастности дисплея
* цветометры
* замена для фотоэлементов CD
Абсолютный максимум оценок/(Type.Ta=25℃) видимого для того чтобы приблизить к photosensor GB3-A1DPS пакета инфракрасн Dector пластиковому
| Параметр | Символ | Значение | Блок |
| Напряжение тока коллектор- эмиттера | VCEO | 12 | V |
| Излучател-Сборник-напряжение тока | VEOC | 5 | V |
| Диссипация силы на | ПК | 70 | mW |
| Температура хранения | Topr | -25~85 | ℃ |
| Паяя температура | Tstg | -40~+100 | ℃ |
Электрооптические характеристики (Type.Ta=25℃) видимого для того чтобы приблизить к photosensor GB3-A1DPS пакета инфракрасн Dector пластиковому
| Параметр | Символ | Условие | MIN. | Тип. | Максимальный. | Блок |
| Ряд спектрального ответа | λp | / | - | 850 | - | nm |
| Пиковая длина волны чувствительности | λd | / | 400 | - | 1100 | nm |
| Темное течение | ID | Люкс Vdd=5V Ev=0 | - | - | 0,1 | uA |
| Photocurrent | IL (1) | Люкс Vdd=5V Ev=10 | 3,0 | - | 5,0 | uA |
| Люкс Vdd=5V Ev=30 | 9,0 | - | 15,0 | uA | ||
| Photocurrent | IL (2)* | Люкс Vdd=5V Ev=100 | 30 | 40 | 50 | uA |
| Время восхода | Tr | VCE=5V IC=1mA RL=1000Ω | 15 | госпожа | ||
| Время падения | Tf | 15 | ||||
Спектральный ответ Светлое настоящее Vs.Ee Темное течение Vs.Temperature
■Работая пример цепи видимого для того чтобы приблизить к photosensor GB3-A1DPS пакета инфракрасн Dector пластиковому
■Габаритные планы видимого для того чтобы приблизить к photosensor GB3-A1DPS пакета инфракрасн Dector пластиковому (блоку: mm)
Спецификации серии видимого для того чтобы приблизить к photosensor GB3-A1DPS пакета инфракрасн Dector пластиковому
| Спецификации (mm) | Модель | Минимальное рабочее напряжение тока (V) | Возможность сброса инфракрасн | Светлое настоящее (uA) | Темное течение | Пиковый спектральный ответ | ||||
| @ 10 люкс | @ 100 люкс | @ 200 люкс | @ 1000 люкс | @ 2000 люкс | @ 0 люкс | |||||
| ¢3 | LXD/GB3-A1C | 2,0 v | ||||||||
| ИСС = 250uA | УТВЕРДИТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ | 12,5 | 125 | 250 | - | - | < 1 nA | 520nm | ||
| ¢5 | LXD/GB5-A1C | 2,0 v | ||||||||
| ИСС = 250uA | УТВЕРДИТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ | 12,5 | 125 | 250 | - | - | < 1 nA | 520nm | ||
| ¢3 | LXD/GB3-A2C | 2,0 v | ||||||||
| ИСС = 250uA | УТВЕРДИТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ | - | 15 | - | 150 | 300 | < 1 nA | 520nm | ||
| ¢5 | LXD/GB5-A2C | 2,0 v | ||||||||
| ИСС = 250uA | УТВЕРДИТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ | - | 15 | - | 150 | 300 | < 1 nA | 520nm | ||
| ¢5 | LXD/GB5-A1DPF | 2,0 v | УТВЕРДИТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ | 113 | 750 | - | 1318 | - | 4uA | 520nm |
| ИСС = 250uA | ||||||||||
| ¢5 | LXD/GB5-A1DPB | 2,0 v | 240 | |||||||
| IC=20mA, IB=100uA | УТВЕРДИТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ | 17 | 170 | - | - | < nA 10 | 850nm | |||
| ¢5 | LXD/GB5-A1DPM | 2,0 v | 600 | |||||||
| IC=20mA, IB=100uA | УТВЕРДИТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ | 30 | 300 | - | - | < nA 10 | 850nm | |||