Otomo Semiconductor Technology (Shenzhen) Co., Ltd

ST, TI, Onsemi, NXP,XILINX , ALTERA, Central,ROHM, Microchip,ADI,AOS......Millions type chip at stocks for supporting! Provide products: MCU, IC, LDO, OPAMP, BJT, MOSFET, SBD, FRED, SCR, IGBT, SPD,

Manufacturer from China
Проверенные Поставщика
4 лет
Главная / продукты / Tip Power Transistors /

Транзисторы силы подсказки 3DD13005 переключают высокую эффективность низкопробного напряжения тока 9V излучателя

контакт
Otomo Semiconductor Technology (Shenzhen) Co., Ltd
Посетите вебсайт
Город:shenzhen
Страна/регион:china
Контактное лицо:MrJimmy Lee
контакт

Транзисторы силы подсказки 3DD13005 переключают высокую эффективность низкопробного напряжения тока 9V излучателя

Спросите последнюю цену
Место происхождения :Шэньчжэнь Китай
Количество минимального заказа :PCS 1000-2000
Упаковывая детали :Положенный в коробку
Срок поставки :1 - 2 недели
Условия оплаты :L/C T/T Западное соединение
Способность поставки :18,000,000PCS/в день
Номер модели :3DD13005
Напряжение тока коллектора- база :700v
Температура соединения :℃ 150
Напряжение тока Излучател-основания :9V
Название продукта :тип триода полупроводника
Диссипация сборника :1.25W
Тип :Транзистор триода
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

 

TO-263-3L Пластмасс-помещают ТРАНЗИСТОР транзисторов 3DD13005 (NPN)

 

ОСОБЕННОСТЬ
 

Применения силы переключая

 

 

 

МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ (животики =25 Š если не указано иное)

 

Символ Параметр Значение Блок
VCBO Напряжение тока коллектора- база 700 V
VCEO Напряжение тока коллектор- эмиттера 400 V
VEBO Напряжение тока Излучател-основания 9 V
IC Течение сборника - непрерывное 1,5
ПК Диссипация сборника 1,25 W
TJ, Tstg Температура соединения и хранения -55~+150

 

 

 

 


ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

 

 

Животики =25 Š если не указано иное


 

Животики =25 Š если не указано иное

Параметр Символ Условия испытаний Минута Тип Макс Блок
Пробивное напряжение коллектора- база V (BR) CBO Ic= 1mA, IE=0 700     V
Пробивное напряжение коллектор- эмиттера ГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР V (BR) Ic= 10 мам, IB=0 400     V
пробивное напряжение Излучател-основания V (BR) EBO IE = 1mA, IC =0 9     V
Течение выключения сборника ICBO VCB = 700V, IE =0     1 мамы
Течение выключения сборника ICEO VCE = 400V, IB =0     0,5 мамы
Течение выключения излучателя IEBO VEB = 9 V, IC =0     1 мамы

 

Увеличение DC настоящее

hFE (1) VCE = 5 V, IC = 0,5 A 8   40  
  hFE (2) VCE = 5 v, IC = 1.5A 5      
Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера VCE (сидел) IC=1A, мамы IB= 250     0,6 V
напряжение тока сатурации Основани-излучателя VBE (сидел) IC=1A, IB= 250mA     1,2 V
напряжение тока Основани-излучателя VBE IE= 2A     3 V

 

Частота перехода

 

fT

VCE =10V, Ic=100mA

f =1MHz

 

5

   

 

MHz

Время падения tf IC =1A, IB1 =-IB2=0.2A VCC=100V     0,5 µs
Продолжительность хранения ts IC=250mA 2   4 µs

 

 

КЛАССИФИКАЦИЯ hFE1

Ряд              
Ряд 8-10 10-15 15-20 20-25 25-30 30-35 35-40

 

 

КЛАССИФИКАЦИЯ tS

 

Ряд A1 A2 B1 B2
Ряд 2-2.5 (μs) 2.5-3 (μs) 3-3.5 (μs) 3.5-4 (μs)
         

 

 

 

Размеры плана пакета TO-92

 

Символ Размеры в миллиметрах Размеры в дюймах
  MIN. Максимальный. MIN. Максимальный.
4,470 4,670 0,176 0,184
A1 0,000 0,150 0,000 0,006
B 1,120 1,420 0,044 0,056
b 0,710 0,910 0,028 0,036
b1 1,170 1,370 0,046 0,054
c 0,310 0,530 0,012 0,021
c1 1,170 1,370 0,046 0,054
D 10,010 10,310 0,394 0,406
E 8,500 8,900 0,335 0,350
e 2,540 ТИП. 0,100 ТИПА.
e1 4,980 5,180 0,196 0,204
L 14,940 15,500 0,588 0,610
L1 4,950 5,450 0,195 0,215
L2 2,340 2,740 0,092 0,108
Φ
V 5,600 REF. 0,220 REF.

 

 

 

 

 

Запрос Корзина 0