Beijing Silk Road Enterprise Management Services Co.,LTD

ST, TI, Onsemi, NXP, XILINX, ALTERA, централь, ROHM, микросхема, ADI, тип обломок миллионов AOS ...... на запасах для поддерживать! Обеспечьте продукты: MCU, IC, LDO, OPAMP, BJT, MOSFET, SBD, ФРЕД,

Manufacturer from China
Проверенные Поставщика
5 лет
Главная / продукты / Транзисторы силы подсказки /

Тип транзистора триода кремния транзисторов силы NPN подсказки MJE13003 материальный

контакт
Beijing Silk Road Enterprise Management Services Co.,LTD
Посетите вебсайт
Город:shenzhen
Страна/регион:china
контакт

Тип транзистора триода кремния транзисторов силы NPN подсказки MJE13003 материальный

Спросите последнюю цену
Place of Origin :ShenZhen China
Brand Name :OTOMO
Certification :RoHS、SGS
MOQ :1000-2000 PCS
Price :Negotiated
Packaging Details :Boxed
Delivery Time :1 - 2 Weeks
Payment Terms :L/C T/T Western Union
Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day
Model Number :MJE13003
Type :Triode Transistor
Material :Silicon
Power mosfet transistor :TO-126 Plastic-Encapsulate
Product name :semiconductor triode type
Tj :150℃
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

TO-126 Пластмасс-помещают ТРАНЗИСТОР транзисторов MJE13003 (NPN)

 

 

ОСОБЕННОСТЬ
 

Применения силы Ÿ переключая

 

 

МАРКИРОВКА

Код MJE13003=Device

Твердая точка = зеленый прибор литьевой массы, если никакой, нормальный прибор

Тип транзистора триода кремния транзисторов силы NPN подсказки MJE13003 материальный

 

Тип транзистора триода кремния транзисторов силы NPN подсказки MJE13003 материальный

 

 

УПОРЯДОЧЕНИЕ ИНФОРМАЦИИ

Номер детали Пакет Способ уплотнения прокладками Количество пакета
MJE13003 TO-126 Большая часть 200pcs/Bag
MJE13003-TU TO-126 Трубка 60pcs/Tube


 

 

 

 

МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ (животики =25 Š если не указано иное)

 

Символ Параметр Значение Блок
VCBO Напряжение тока коллектора- база 600 V
VCEO Напряжение тока коллектор- эмиттера 420 V
VEBO Напряжение тока Излучател-основания 7 V
IC Течение сборника - непрерывное 0,2
ПК Диссипация силы сборника 0,75 W
TJ Температура соединения 150
Tstg Температура хранения -55 ~150

 

 

 

 


ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

 

 

Животики =25 Š если не указано иное


 

Параметр Символ Условия испытаний Минута Тип Макс Блок
Пробивное напряжение коллектора- база V (BR) CBO IC = 0.1mA, IE =0 600     V
Пробивное напряжение коллектор- эмиттера ГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР V (BR) IC = 1mA, IB =0 400     V
пробивное напряжение Излучател-основания V (BR) EBO IE =0.1MA, IC =0 6     V
Течение выключения сборника ICBO VCB =600V, IE =0     100 uA
Течение выключения сборника ICEO VCE =400V, IB =0     100 uA
Течение выключения излучателя IEBO VEB =7V, IC =0     10 uA
Увеличение DC настоящее hFE (1)* VCE =10V, IC =200MA 20   30  
hFE (2) VCE =10V, IC =250ΜA 5    
Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера VCE (сидел) 1 IC =200MA, IB =40MA     0,5 V
напряжение тока сатурации Основани-излучателя VBE (сидел) IC =200MA, IB =40MA     1,1 V
Частота перехода fT VCE =10V, IC =100mA, f=1MHz 5     MHz
Время падения tf IC =100mA     0,5 μs
Продолжительность хранения tS* IC =100mA 2   4

 

 
Размеры плана пакета TO-92

 

 

Символ Размеры в миллиметрах Размеры в дюймах
  Минута Макс Минута Макс
2,500 2,900 0,098 0,114
A1 1,100 1,500 0,043 0,059
b 0,660 0,860 0,026 0,034
b1 1,170 1,370 0,046 0,054
c 0,450 0,600 0,018 0,024
D 7,400 7,800 0,291 0,307
E 10,600 11,000 0,417 0,433
e 2,290 ТИП 0,090 ТИПА
e1 4,480 4,680 0,176 0,184
h 0,000 0,300 0,000 0,012
L 15,300 15,700 0,602 0,618
L1 2,100 2,300 0,083 0,091
P 3,900 4,100 0,154 0,161
Φ 3,000 3,200 0,118 0,126

 

 

Тип транзистора триода кремния транзисторов силы NPN подсказки MJE13003 материальный

 

 

Метки товара:
Запрос Корзина 0