
Otomo Semiconductor Technology (Shenzhen) Co., Ltd
ST, TI, Onsemi, NXP,XILINX , ALTERA, Central,ROHM, Microchip,ADI,AOS......Millions type chip at stocks for supporting! Provide products: MCU, IC, LDO, OPAMP, BJT, MOSFET, SBD, FRED, SCR, IGBT, SPD,
Add to Cart
TO-92 Пластмасс-помещают ТРАНЗИСТОР транзисторов 2N5401 (PNP)
Переключение и амплификация Ÿ в высоком напряжении
Применения Ÿ как телефонирование
Ÿ низкоточное
Высокое напряжение Ÿ
УПОРЯДОЧЕНИЕ ИНФОРМАЦИИ
Номер детали | Пакет | Способ уплотнения прокладками | Количество пакета |
2N5401 | TO-92 | Большая часть | 1000pcs/Bag |
2N5401-TA | TO-92 | Лента | 2000pcs/Box |
МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ (животики =25 Š если не указано иное)
Символ | Параметр | Значение | Блок |
VCBO | Напряжение тока коллектора- база | -160 | V |
VCEO | Напряжение тока коллектор- эмиттера | -150 | V |
VEBO | Напряжение тока Излучател-основания | -5 | V |
IC | Течение сборника | -0,6 | |
ПК | Диссипация силы сборника | 625 | mW |
R0 JA | Термальное сопротивление от соединения к окружающему | 200 | Š/W |
Tj | Температура соединения | 150 | Š |
Tstg | Температура хранения | -55~+150 | Š |
Животики =25 Š если не указано иное
Параметр | Символ | Условия испытаний | Минута | Тип | Макс | Блок |
Пробивное напряжение коллектора- база | V (BR) CBO | IC = -0.1MA, IE =0 | -160 | V | ||
Пробивное напряжение коллектор- эмиттера | ГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР V (BR) | IC =-1MA, IB =0 | -150 | V | ||
пробивное напряжение Излучател-основания | V (BR) EBO | IE =-0.01MA, IC =0 | -5 | V | ||
Течение выключения сборника | ICBO | VCB =-120V, IE =0 | -50 | nA | ||
Течение выключения излучателя | IEBO | VEB =-3V, IC =0 | -50 | nA | ||
Увеличение DC настоящее |
hFE (1) | VCE =-5V, IC =-1MA | 80 | |||
hFE (2) | VCE =-5V, IC =-10MA | 100 | 300 | |||
hFE (3) | VCE =-5V, IC =-50MA | 50 | ||||
Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера | VCE (сидел) | IC =-50MA, IB =-5MA | -0,5 | V | ||
напряжение тока сатурации Основани-излучателя | VBE (сидел) | IC =-50MA, IB =-5MA | -1 | V | ||
Частота перехода | fT | VCE =-5V, IC =-10mA, f =30MHz | 100 | 300 | MHz |
РЯД | B | C | |
РЯД | 100-150 | 150-200 | 200-300 |
Типичные характеристики
Размеры плана пакета
Символ | Размеры в миллиметрах | Размеры в дюймах | ||
Минута | Макс | Минута | Макс | |
3,300 | 3,700 | 0,130 | 0,146 | |
A1 | 1,100 | 1,400 | 0,043 | 0,055 |
b | 0,380 | 0,550 | 0,015 | 0,022 |
c | 0,360 | 0,510 | 0,014 | 0,020 |
D | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
D1 | 3,430 | 0,135 | ||
E | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
e | 1,270 ТИП | 0,050 ТИПА | ||
e1 | 2,440 | 2,640 | 0,096 | 0,104 |
L | 14,100 | 14,500 | 0,555 | 0,571 |
0 | 1,600 | 0,063 | ||
h | 0,000 | 0,380 | 0,000 | 0,015 |
TO-92 7DSH DQG 5HHO