Otomo Semiconductor Technology (Shenzhen) Co., Ltd

ST, TI, Onsemi, NXP,XILINX , ALTERA, Central,ROHM, Microchip,ADI,AOS......Millions type chip at stocks for supporting! Provide products: MCU, IC, LDO, OPAMP, BJT, MOSFET, SBD, FRED, SCR, IGBT, SPD,

Manufacturer from China
Проверенные Поставщика
5 лет
Главная / продукты / Silicon Power Transistor /

Транзистор наивысшей мощности PNP транзистора силы кремния SGS для электронных блоков

контакт
Otomo Semiconductor Technology (Shenzhen) Co., Ltd
Посетите вебсайт
Город:shenzhen
Страна/регион:china
Контактное лицо:MrJimmy Lee
контакт

Транзистор наивысшей мощности PNP транзистора силы кремния SGS для электронных блоков

Спросите последнюю цену
Место происхождения :Шэньчжэнь Китай
Количество минимального заказа :PCS 1000-2000
Упаковывая детали :Положенный в коробку
Срок поставки :1 - 2 недели
Условия оплаты :L/C T/T Западное соединение
Способность поставки :18,000,000PCS/в день
Номер модели :2N5401
VCBO :-160V
VCEO :-150V
VEBO :-5V
Использование :Электронные блоки
Tj :150Š
Случай :Лента/поднос/вьюрок
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

TO-92 Пластмасс-помещают ТРАНЗИСТОР транзисторов 2N5401 (PNP)

 

 

ОСОБЕННОСТЬ
 

 

Переключение и амплификация Ÿ в высоком напряжении

Применения Ÿ как телефонирование

Ÿ низкоточное

Высокое напряжение Ÿ

 

 

Транзистор наивысшей мощности PNP транзистора силы кремния SGS для электронных блоков

 

 

УПОРЯДОЧЕНИЕ ИНФОРМАЦИИ

Номер детали Пакет Способ уплотнения прокладками Количество пакета
2N5401 TO-92 Большая часть 1000pcs/Bag
2N5401-TA TO-92 Лента 2000pcs/Box

 

 

 

 

МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ (животики =25 Š если не указано иное)

 

Символ Параметр Значение Блок
VCBO Напряжение тока коллектора- база -160 V
VCEO Напряжение тока коллектор- эмиттера -150 V
VEBO Напряжение тока Излучател-основания -5 V
IC Течение сборника -0,6
ПК Диссипация силы сборника 625 mW
R0 JA Термальное сопротивление от соединения к окружающему 200 Š/W
Tj Температура соединения 150 Š
Tstg Температура хранения -55~+150 Š

 

 

 

 


ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

 

 

Животики =25 Š если не указано иное

 

 

Параметр Символ Условия испытаний Минута Тип Макс Блок
Пробивное напряжение коллектора- база V (BR) CBO IC = -0.1MA, IE =0 -160     V
Пробивное напряжение коллектор- эмиттера ГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР V (BR) IC =-1MA, IB =0 -150     V
пробивное напряжение Излучател-основания V (BR) EBO IE =-0.01MA, IC =0 -5     V
Течение выключения сборника ICBO VCB =-120V, IE =0     -50 nA
Течение выключения излучателя IEBO VEB =-3V, IC =0     -50 nA

 

Увеличение DC настоящее

hFE (1) VCE =-5V, IC =-1MA 80      
hFE (2) VCE =-5V, IC =-10MA 100   300  
hFE (3) VCE =-5V, IC =-50MA 50      
Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера VCE (сидел) IC =-50MA, IB =-5MA     -0,5 V
напряжение тока сатурации Основани-излучателя VBE (сидел) IC =-50MA, IB =-5MA     -1 V
Частота перехода fT VCE =-5V, IC =-10mA, f =30MHz 100   300 MHz

 
  

КЛАССИФИКАЦИЯ hFE (2)

РЯД B C
РЯД 100-150 150-200 200-300

 

 

 

 

Типичные характеристики

 

 


Транзистор наивысшей мощности PNP транзистора силы кремния SGS для электронных блоков 

Транзистор наивысшей мощности PNP транзистора силы кремния SGS для электронных блоков

Транзистор наивысшей мощности PNP транзистора силы кремния SGS для электронных блоков

Транзистор наивысшей мощности PNP транзистора силы кремния SGS для электронных блоков

 


 
 

Размеры плана пакета
 

Символ Размеры в миллиметрах Размеры в дюймах
  Минута Макс Минута Макс
3,300 3,700 0,130 0,146
A1 1,100 1,400 0,043 0,055
b 0,380 0,550 0,015 0,022
c 0,360 0,510 0,014 0,020
D 4,300 4,700 0,169 0,185
D1 3,430   0,135  
E 4,300 4,700 0,169 0,185
e 1,270 ТИП 0,050 ТИПА
e1 2,440 2,640 0,096 0,104
L 14,100 14,500 0,555 0,571
0   1,600   0,063
h 0,000 0,380 0,000 0,015

 

 


TO-92 7DSH DQG 5HHO

 

 Транзистор наивысшей мощности PNP транзистора силы кремния SGS для электронных блоков

Транзистор наивысшей мощности PNP транзистора силы кремния SGS для электронных блоков
 




 
 

Запрос Корзина 0