Otomo Semiconductor Technology (Shenzhen) Co., Ltd

ST, TI, Onsemi, NXP,XILINX , ALTERA, Central,ROHM, Microchip,ADI,AOS......Millions type chip at stocks for supporting! Provide products: MCU, IC, LDO, OPAMP, BJT, MOSFET, SBD, FRED, SCR, IGBT, SPD,

Manufacturer from China
Проверенные Поставщика
4 лет
Главная / продукты / Silicon Power Transistor /

большой ток транзистора силы транзистора силы NPN кремния 600mA

контакт
Otomo Semiconductor Technology (Shenzhen) Co., Ltd
Посетите вебсайт
Город:shenzhen
Страна/регион:china
Контактное лицо:MrJimmy Lee
контакт

большой ток транзистора силы транзистора силы NPN кремния 600mA

Спросите последнюю цену
Место происхождения :Шэньчжэнь Китай
Количество минимального заказа :PCS 1000-2000
Упаковывая детали :Положенный в коробку
Срок поставки :1 - 2 недели
Условия оплаты :L/C T/T Западное соединение
Способность поставки :18,000,000PCS/в день
Номер модели :A42
Напряжение тока коллектора- база :310V
Напряжение тока Излучател-основания :5V
Tstg :-55~+150℃
Материал :Кремний
Течение сборника :600 мам
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

SOT-89-3L Пластмасс-помещают ТРАНЗИСТОР транзисторов A42 (NPN)

 

 

ОСОБЕННОСТЬ
 

Низкое напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера

Высокое пробивное напряжение

 

Маркировка: D965A

 

 

 

МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ (Ta=25℃ если не указано иное)
 

Символ Параметр Значение Блок
VCBO Напряжение тока коллектора- база 310 V
VCEO Напряжение тока коллектор- эмиттера 305 V
VEBO Напряжение тока Излучател-основания 5 V
IC Течение сборника - непрерывное 200 мамы
ICM Пульсированное течение сборника - 500 мамы
ПК Диссипация силы сборника 500 mW
RθJA Термальное сопротивление от соединения к окружающему 250 ℃/W
TJ Температура соединения 150
Tstg Температура хранения -55~+150

 
 
 
ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (Ta=25℃ если не указано иное)
 

Параметр Символ Условия испытаний Минута Тип Макс Блок
Пробивное напряжение коллектора- база V (BR) CBO IC =100ΜA, IE =0 310     V
Пробивное напряжение коллектор- эмиттера ГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР V (BR) IC =1MA, IB =0 305     V
пробивное напряжение Излучател-основания V (BR) EBO IE =100ΜA, IC =0 5     V

 

Течение выключения сборника

ICBO VCB =200V, IE =0     0,25 µA
 

 

ICEX

VCE =100V, VX =5V     5 µA
    VCE =300V, VX =5V     10 µA
Течение выключения излучателя IEBO VEB =5V, IC =0     0,1 µA

 

Увеличение DC настоящее

hFE (1) VCE =10V, IC =1MA 60      
  hFE (2) VCE =10V, IC =10MA 100   300  
  hFE (3) VCE =10V, IC =30MA 75      
Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера VCE (сидел) IC =20MA, IB =2MA     0,2 V
напряжение тока сатурации Основани-излучателя VBE (сидел) IC =20MA, IB =2MA     0,9 V
Частота перехода fT VCE=20V, IC=10mA, f=30MHz 50     MHz

 

 

 
 

 Типичные характеристики

 

большой ток транзистора силы транзистора силы NPN кремния 600mA

большой ток транзистора силы транзистора силы NPN кремния 600mA

большой ток транзистора силы транзистора силы NPN кремния 600mA

 

 

 

Размеры плана пакета
 

Символ Размеры в миллиметрах Размеры в дюймах
  Минута Макс Минута Макс
1,400 1,600 0,055 0,063
b 0,320 0,520 0,013 0,020
b1 0,400 0,580 0,016 0,023
c 0,350 0,440 0,014 0,017
D 4,400 4,600 0,173 0,181
D1 1,550 REF. 0,061 REF.
E 2,300 2,600 0,091 0,102
E1 3,940 4,250 0,155 0,167
e 1,500 ТИП. 0,060 ТИПА.
e1 3,000 ТИП. 0,118 ТИПА.
L 0,900 1,200 0,035 0,047

 
 
большой ток транзистора силы транзистора силы NPN кремния 600mA
 

 

SOT-89-3L предложило план пусковой площадки

 

большой ток транзистора силы транзистора силы NPN кремния 600mA
 
 
Лента и вьюрок SOT-89-3L
большой ток транзистора силы транзистора силы NPN кремния 600mA
большой ток транзистора силы транзистора силы NPN кремния 600mA
большой ток транзистора силы транзистора силы NPN кремния 600mA
 
 
 

Запрос Корзина 0