Otomo Semiconductor Technology (Shenzhen) Co., Ltd

ST, TI, Onsemi, NXP,XILINX , ALTERA, Central,ROHM, Microchip,ADI,AOS......Millions type chip at stocks for supporting! Provide products: MCU, IC, LDO, OPAMP, BJT, MOSFET, SBD, FRED, SCR, IGBT, SPD,

Manufacturer from China
Проверенные Поставщика
4 лет
Главная / продукты / Mosfet Power Transistor /

течение стока двойного N-канала транзистора силы Mosfet 6.5A 30V непрерывное

контакт
Otomo Semiconductor Technology (Shenzhen) Co., Ltd
Посетите вебсайт
Город:shenzhen
Страна/регион:china
Контактное лицо:MrJimmy Lee
контакт

течение стока двойного N-канала транзистора силы Mosfet 6.5A 30V непрерывное

Спросите последнюю цену
Место происхождения :Шэньчжэнь Китай
Количество минимального заказа :PCS 1000-2000
Упаковывая детали :Положенный в коробку
Срок поставки :1 - 2 недели
Условия оплаты :L/C T/T Западное соединение
Способность поставки :18,000,000PCS/в день
Номер модели :HXY4812
Название продукта :Транзистор силы Mosfet
VDS :30v
Случай :Лента/поднос/вьюрок
VGS :±20v
Непрерывное течение стока :6.5A
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

MOSFET N-канала HXY4812 30V двойной

 

 

Общее описание

 

HXY4822A использует предварительную технологию канавы к

обеспечьте превосходный RDS (ДАЛЬШЕ) и низкую обязанность ворот. Это

прибор соответствующий для пользы как переключатель нагрузки или в PWM

применения.

 

 

Сводка продукта

течение стока двойного N-канала транзистора силы Mosfet 6.5A 30V непрерывноетечение стока двойного N-канала транзистора силы Mosfet 6.5A 30V непрерывное

 

 

 

Абсолютный максимум оценок t =25°C если не указано иное

 

течение стока двойного N-канала транзистора силы Mosfet 6.5A 30V непрерывное

 

 

Электрические характеристики (t =25°C если не указано иное)

 

 

течение стока двойного N-канала транзистора силы Mosfet 6.5A 30V непрерывное

 

 

A. Значение RθJA измерено с прибором установленным на доске 1in2 FR-4 с 2oz. Медь, в неподвижной окружающей среде воздуха с ЖИВОТИКАМИ =25°C.

значение в любом, который дали применении зависит от дизайна доски потребителя специфического.

B. PD диссипации силы основан на TJ (МАКС) =150°C, используя сопротивление ≤ 10s соединени-к-окружающее термальное.

Оценка C. Повторяющийся, ширина ИМПа ульс ограничиваемая оценками температуры соединения TJ (МАКС) =150°C. основана на низкочастотном и кругах обязаностей для того чтобы держать

D. RθJA сумма термального импеданса от соединения для того чтобы привести RθJL и привести к окружающему.

E. Статические характеристики в диаграммах 1 до 6 получены используя <300>

 

течение стока двойного N-канала транзистора силы Mosfet 6.5A 30V непрерывноетечение стока двойного N-канала транзистора силы Mosfet 6.5A 30V непрерывное

 

 

 

 

Запрос Корзина 0