Сильная энергия DS-SPS40MA12E4S-S03130001 V1.0
1200 В 40 мΩ SiC MOSFET
Особенности:
□ Высокое блокировочное напряжение с низким сопротивлением включения
□ Высокоскоростное переключение с низкой емкостью
□ Быстрый внутренний диод с низкой обратной рекуперацией (Qrr)
Типичный Применение:
□ ПВ-инверторы
□ Зарядные батареи
□ Системы хранения энергии
□ Промышленное энергоснабжение
□ Промышленные двигатели
Максимальная Рейтинги @Tc=25°C (если только В противном случае Уточняется)
| Положение |
Символ |
Условия |
Ценности |
Единица |
| Напряжение источника отвода |
VDSmax |
VGS=0V, ID=100μA |
1200 |
V |
| Напряжение порта-источника |
VGSop |
Статика |
-5/+20 |
V |
| Максимальное напряжение порта-источника |
VGSmax |
Статика |
-8/+22 |
V |
|
Постоянный отток
|
Идентификация
|
VGS=20V, Tc=25°C |
75 |
А. |
| VGS=20V, Tc=100°C |
53 |
|
| Импульсный отводный ток |
ID ((пульс) |
Ширина импульса tp ограничена Tjmax |
120 |
А. |
| Распределение власти |
ПД |
TC=25°C, Tj=175°C |
366 |
W |
| Диапазон рабочего пересечения |
Tj |
|
-55 до +175 |
°C |
| Диапазон температуры хранения |
Tstg |
|
-55 до +175 |
°C |
Электрические Характеристики @Tc=25°C (если только В противном случае Уточняется)
| Положение |
Символ |
Условия |
минуты.
|
Ценности
Тип.
|
Макс.
|
Единица |
| Напряжение отключения источника отвода |
V ((BR) DSS |
VGS=0V, ID=100μA |
1200 |
- |
- |
V |
|
Пороговое напряжение
|
VGS ((th)
|
VDS=VGS, ID=10mA |
2.0 |
2.8 |
3.5 |
V
|
| VDS=VGS, ID=10mA, Tj=175°C |
- |
1.9 |
- |
| Напряжение отхода от нулевого выхода |
IDSS |
VDS=1200V, VGS=0V |
- |
1 |
100 |
μA |
| Ток утечки от источника входа |
IGSS |
VGS=20V, VDS=0V |
- |
10 |
100 |
nA |
|
Сопротивление источника оттока на состоянии
|
RDS (включено)
|
VGS=20V, ID=35A |
- |
40 |
60 |
mΩ
|
| VGS=20V, ID=35A, Tj=175°C |
- |
64 |
- |
| VGS=18V, ID=35A |
- |
43 |
70 |
| VGS=18V, ID=35A, Tj=175°C |
- |
67 |
- |
|
Транспроводность
|
гфс
|
VDS=20V, IDS=35A |
- |
20 |
- |
S
|
| VDS=20V, IDS=35A, Tj=175°C |
- |
18 |
- |
| Энергия переключения включения (FWD корпусного диода) |
Эон
|
VDS=800В,
VGS=-5V/20V, ID=35A,
|
- |
635
|
-
|
|
| |
|
|
|
|
|
Энергия переключения отключения (FWD корпусного диода)
|
Еоф
|
RG ((ext) = 2,5Ω, L=200μH, Tj=25°C FWD=SPS40MA12E4S |
-
|
201
|
-
|
μJ |
| Время задержки включения |
Включено |
|
- |
9 |
- |
|
| Время подъема |
Тр |
VDD=800В, |
- |
30 |
- |
|
|
VGS=-5V/20V,
ID=35A,
|
n |
| Время задержки отключения |
Тд ((отключено) |
- |
31 |
- |
| RG ((ext) = 2,5Ω, L=200μH |
|
| Время осени |
Тф |
|
- |
12 |
- |
|
| Входной к источнику зарядки |
Qgs |
VDS=800V, VGS=-5V/20V, ID=35A
|
- |
40 |
- |
|
| Загрузка от шлюза до отвода |
Qgd |
- |
60 |
- |
nC |
| Общая плата за шлюз |
Qg |
- |
163 |
- |
|
| Вводная емкость |
Сисс |
VGS=0V, VDS=1000V
f=1MHz VAC=25mV
|
- |
2534 |
- |
pF
|
| Выходная емкость |
Косс |
- |
110 |
- |
| Капацитет обратной передачи |
КРСС |
- |
26 |
- |
| COSS - накопленная энергия |
Эосс |
- |
70 |
- |
μJ |
| Сопротивление внутренних ворот |
RG ((int) |
f=1MHz, VAC=25mV |
- |
1.6 |
- |
Ω |
Обратно. Диод Характеристики @Tc=25°C (если только В противном случае Уточняется)
| Положение |
Символ |
Условия |
минуты.
|
Ценности Тип. |
Макс.
|
Единица |
|
Диодное напряжение вперед
|
ВСД
|
VGS=-5V, ISD=20A |
- |
4.9 |
7 |
V |
| VGS=-5V, ISD=20A, Tj=175°C |
- |
4.1 |
- |
V |
|
Постоянный диодный прямой ток
|
ИС |
VGS=-5V |
- |
75 |
- |
А. |
|
Время восстановления
|
trr |
VGS=-5V, |
- |
32 |
- |
n |
|
Сбор за возврат средств
|
Кррр |
ISD=35A, |
- |
769 |
- |
nC |
| Пиковый обратный восстановительный ток |
Иррм |
VR=800В, di/dt=3000A/μs |
- |
39 |
- |
А. |
Обратно. Диод Характеристики @Tc=25°C (если только В противном случае Уточняется)
| Положение |
Символ |
Условия |
минуты.
|
Ценности Тип. |
Макс.
|
Единица |
| Тепловое сопротивление от соединения до корпуса |
RθJC |
|
- |
0.41 |
- |
°C/W |
Типичный Производительность
Типичный Производительность
Типичный Производительность
Типичный Производительность
Типичный Производительность
Это Кремниевый карбид (SiC) Металлический оксид-полупроводниковый транзистор с полевым эффектом (MOSFET) с номинальным напряжением 1200 В и сопротивлением в режиме включения (RDS ((on)) 40 миллиоммов (40mΩ).SiC MOSFET известны своей высокой напряженностью и низким сопротивлением на состоянии, что делает их подходящими для эффективных энергетических электронных приложений, таких как высокочастотные преобразователи и электромобили.Сопротивление 40mΩ в состоянии включения указывает на относительно низкие потери мощности во время проводности, способствуя повышению эффективности в высокомощных приложениях.
Пакет Конспект: TO-247-4L
