Силовая установка DS-SPS12MA12E4S
1200 В 12 мΩ SiC MOSFET
Особенности:
□ Высокое блокировочное напряжение с низким сопротивлением включения
□ Высокоскоростное переключение с низкой емкостью
□ Быстрый внутренний диод с низкой обратной рекуперацией (Qrr)
Типичный Применение:
□ ПВ-инверторы
□ Зарядные батареи
□ Системы хранения энергии
□ Промышленное энергоснабжение
□ Промышленные двигатели
Максимальная Рейтинги @Tc=25°C (если только В противном случае Уточняется)
| Положение |
Символ |
Условия |
Ценности |
Единица |
| Напряжение источника отвода |
VDSmax |
VGS=0V, ID=100μA |
1200 |
V |
| Напряжение порта-источника |
VGSop |
Статика |
-5/+20 |
V |
| Максимальное напряжение порта-источника |
VGSmax |
Статика |
-8/+22 |
V |
|
Постоянный отток
|
Идентификация
|
VGS=20V, Tc=25°C |
214 |
А.
|
| VGS=20V, Tc=100°C |
151 |
| Импульсный отводный ток |
ID ((пульс) |
Ширина импульса tp ограничена Tjmax |
400 |
А. |
| Распределение власти |
ПД |
TC=25°C, Tj=175°C |
938 |
W |
| Диапазон рабочего пересечения |
Tj |
|
-55 до +175 |
°C |
| Диапазон температуры хранения |
Tstg |
|
-55 до +175 |
°C |
Электрические Характеристики @Tc=25°C (если только В противном случае Уточняется)
| Положение |
Символ |
Условия |
Ценности
минуты. Тип. Макс.
|
Единица |
| Напряжение отключения источника отвода |
V ((BR) DSS |
VGS=0V, ID=100μA |
1200 |
- |
- |
V |
| Пороговое напряжение |
VGS ((th)
|
VDS=VGS, ID=40mA |
2.0 |
2.7 |
3.5 |
V |
| VDS=VGS, ID=40mA, Tj=175°C |
- |
1.9 |
- |
| Напряжение отхода от нулевого выхода |
IDSS |
VDS=1200V, VGS=0V |
- |
2 |
100 |
μA |
| Ток утечки от источника входа |
IGSS |
VGS=20V, VDS=0V |
- |
10 |
100 |
nA |
|
Сопротивление источника оттока на состоянии
|
RDS (включено)
|
VGS=20V, ID=100A |
- |
12 |
20 |
mΩ
|
| VGS=20V, ID=100A, Tj=175°C |
- |
20 |
- |
| VGS=18V, ID=100A |
- |
13 |
25 |
| VGS=18V, ID=100A, Tj=175°C |
- |
21 |
- |
| Транспроводность |
гфс
|
VDS=20V, IDS=100A |
- |
60 |
- |
S |
| VDS=20V, IDS=100A, Tj=175°C |
- |
52 |
- |
|
Энергия переключения включения (FWD корпусного диода)
|
Эон
|
VDS=800V,VGS=-5V/20V, ID=100A, RG(ext)=5Ω, L=100μH, Tj=25°C FWD=SPS12MA12E4S
|
-
|
5.2
|
-
|
mJ
|
| Энергия переключения отключения (FWD корпусного диода) |
Еоф
|
- |
3.7 |
- |
|
Время задержки включения
|
Включено
|
VDD=800V, VGS=-5V/20V, ID=100A,RG(ext)=5Ω, L=100μH
|
-
|
24
|
-
|
n
|
| Время подъема |
Тр |
- |
149 |
- |
| Время задержки отключения |
Тд ((отключено) |
- |
145 |
- |
| Время осени |
Тф |
- |
49 |
- |
|
Входной к источнику зарядки
|
Qgs
|
VDS=800V, VGS=-5V/20V, ID=100A
|
-
|
215
|
-
|
nC
|
| Загрузка от шлюза до отвода |
Qgd |
- |
179 |
- |
| Общая плата за шлюз |
Qg |
- |
577 |
- |
| Вводная емкость |
Сисс
|
VGS=0V, VDS=1000V
f=1MHz VAC=25mV
|
- |
8330 |
- |
pF
|
| Выходная емкость |
Косс |
- |
343 |
- |
| Капацитет обратной передачи |
КРСС |
- |
57 |
- |
| COSS - накопленная энергия |
Эосс |
- |
217 |
- |
μJ |
| Сопротивление внутренних ворот |
RG ((int)
|
f=1MHz, VAC=25mV |
- |
0.8 |
- |
Ω |
Обратно. Диод Характеристики @Tc=25°C (если только В противном случае Уточняется)
| Положение Символ |
Условия |
Ценности Единица
минуты. Тип. Макс.
|
| Диодное напряжение вперед |
ВСД
|
VGS=-5V, ISD=50A |
- |
4.7 |
7 |
V |
| VGS=-5V, ISD=50A, Tj=175°C |
- |
3.8 |
- |
V |
| Постоянный диодный прямой ток |
ИС
|
VGS=-5V |
- |
214 |
- |
А. |
| Время восстановления |
trr |
VGS=-5V, |
- |
46 |
- |
n |
| Сбор за возврат средств |
Кррр |
ISD=100A, |
- |
1 |
- |
nC |
| Пиковый обратный восстановительный ток |
Иррм |
VR=800В, di/dt=1597A/μs |
- |
37 |
- |
А. |
Обратно. Диод Характеристики @Tc=25°C (если только В противном случае Уточняется)
| Положение Символ |
Условия |
Ценности Единица |
| Тепловое сопротивление от соединения до корпуса |
RθJC |
|
- |
0.16 |
- |
°C/W |
| Тепловое сопротивление от соединения к окружающей среде |
RθJA
|
|
- |
32 |
- |
°C/W |
Типичная производительность
Типичная производительность
Типичная производительность
Типичная производительность
Типичная производительность
Это 1200В Кремниевой карбидный (SiC) MOSFET с сопротивлением 12 миллиомм (12mΩ).что делает их подходящими для эффективных энергетических электронных приложений, таких как высокочастотные преобразователи и электромобили.
Пакет Конспект: TO-247-4 л
