Сильная энергия DS-SPS75MA12E4S-S03130002 V1.0.
1200 В 75 мΩ SiC MOSFET
Особенности:
□ Высокое блокировочное напряжение с низким сопротивлением включения
□ Высокоскоростное переключение с низкой емкостью
□ Быстрый внутренний диод с низкой обратной рекуперацией (Qrr)
Типичный Применение:
□ ПВ-инверторы
□ Зарядные батареи
□ Системы хранения энергии
□ Промышленное энергоснабжение
□ Промышленные двигатели
Максимальная Рейтинги @Tc=25°C (если только В противном случае Уточняется)
| Положение |
Символ |
Условия |
Ценности |
Единица |
| Напряжение источника отвода |
VDSmax |
VGS=0V, ID=100μA |
1200 |
V |
| Напряжение порта-источника |
VGSop |
Статика |
-5/+20 |
V |
| Максимальное напряжение порта-источника |
VGSmax |
Статика |
-8/+22 |
V |
|
Постоянный отток
|
Идентификация
|
VGS=20V, Tc=25°C |
47 |
А. |
| VGS=20V, Tc=100°C |
33 |
|
| Импульсный отводный ток |
ID ((пульс) |
Ширина импульса tp ограничена Tjmax |
70 |
А. |
| Распределение власти |
ПД |
TC=25.C, Tj=175°C |
288 |
W |
| Диапазон рабочего пересечения |
Tj |
|
-55 до +175 |
°C |
| Диапазон температуры хранения |
Tstg |
|
-55 до +175 |
°C |
Электрические Характеристики @Tc=25°C (если только В противном случае Уточняется)
| Положение |
Символ |
Условия |
Ценности
минуты. Тип. Макс.
|
Единица |
| Напряжение отключения источника отвода |
V ((BR) DSS |
VGS=0V, ID=100μA |
1200 |
- |
- |
V |
|
Пороговое напряжение
|
VGS ((th)
|
VDS=VGS, ID=5mA |
2.0 |
2.8 |
3.5 |
V
|
| VDS=VGS, ID=5mA, Tj=175.C |
- |
1.9 |
- |
| Напряжение отхода от нулевого выхода |
IDSS |
VDS=1200V, VGS=0V |
- |
1 |
100 |
μA |
| Ток утечки от источника входа |
IGSS |
VGS=20V, VDS=0V |
- |
10 |
100 |
nA |
|
Сопротивление источника оттока на состоянии
|
RDS (включено)
|
VGS=20V, ID=20A |
- |
75 |
90 |
mΩ
|
| VGS=20V, ID=20A, Tj=175.C |
- |
133 |
- |
| VGS=18V, ID=20A |
- |
82 |
120 |
| VGS=18V, ID=20A, Tj=175.C |
- |
137 |
- |
|
Транспроводность
|
гфс
|
VDS=20V, IDS=20A |
- |
10 |
- |
S
|
| VDS=20V, IDS=20A, Tj=175.C |
- |
11 |
- |
|
Энергия переключения включения (FWD корпусного диода)
|
Эон
|
VDS=800V,VGS=-5V/20V, ID=20A, RG(ext)=2.5Ω, L=200μH, Tj=25.C
FWD=SPS75MA12E4S
|
-
|
343
|
-
|
μJ
|
| Энергия переключения отключения (FWD корпусного диода) |
Еоф
|
-
|
97
|
-
|
|
Время задержки включения
|
Включено
|
VDD=800V, VGS=-5V/20V, ID=20A,RG(ext)=2.5Ω, L=200μH
|
-
|
6
|
-
|
n
|
|
Время подъема
|
Тр
|
-
|
22
|
-
|
| Время задержки отключения |
Тд ((отключено) |
- |
20 |
- |
| Время осени |
Тф |
- |
10 |
- |
|
Входной к источнику зарядки
|
Qgs
|
VDS=800V, VGS=-5V/20V, ID=20A
|
-
|
35
|
-
|
nC
|
|
Загрузка от шлюза до отвода
|
Qgd
|
| - |
25 |
- |
| Общая плата за шлюз |
Qg |
- |
87 |
- |
| Вводная емкость |
Сисс |
VGS=0V, VDS=1000V f=1MHz,VAC=25mV
|
- |
1450 |
- |
pF
|
| Выходная емкость |
Косс |
- |
66 |
- |
| Капацитет обратной передачи |
КРСС |
- |
13 |
- |
| COSS - накопленная энергия |
Эосс |
- |
40 |
- |
μJ |
|
Сопротивление внутренних ворот
|
RG ((int)
|
f=1MHz, VAC=25mV
|
-
|
2.4
|
-
|
Ω
|
Обратно. Диод Характеристики @Tc=25°C (если только В противном случае Уточняется)
| Положение |
Символ |
Условия |
минуты.
|
Ценности Тип. |
Макс.
|
Единица |
|
Диодное напряжение вперед
|
ВСД
|
VGS=-5V, ISD=10A |
- |
4.9 |
7 |
V |
| VGS=-5V, ISD=10A, Tj=175.C |
- |
4.0 |
- |
V |
| Постоянный диодный прямой ток |
ИС
|
VGS=-5V
|
-
|
46
|
-
|
А.
|
| Время восстановления |
trr |
VGS=-5V, |
- |
22 |
- |
n |
| Сбор за возврат средств |
Кррр |
ISD=20A, |
- |
397 |
- |
nC |
| Пиковый обратный восстановительный ток |
Иррм |
VR=800В, di/dt=3000A/μs |
- |
29 |
- |
А. |
Обратно. Диод Характеристики @Tc=25°C (если только В противном случае Уточняется)
| Положение Символ |
Условия |
Ценности Единица |
| Тепловое сопротивление от соединения до корпуса |
RθJC |
|
- |
0.5 |
- |
°C/W |
Типичный Производительность
Типичный Производительность
Типичный Производительность
Типичный Производительность
Типичный Производительность
Это Кремниевый карбид (SiC) Металлический оксид-полупроводниковый полевой транзистор (MOSFET) с номинальным напряжением 1200 В и сопротивлением в режиме включения (RDS ((on)) 75 миллиомм (75mΩ).SiC MOSFET известны своей высокой напряженностью и низким сопротивлением на состоянии, что делает их подходящими для эффективных энергетических электронных приложений, таких как высокочастотные преобразователи и электромобили.Сопротивление 75mΩ в режиме включения указывает на относительно низкие потери мощности во время проводимости, способствуя повышению эффективности в высокомощных приложениях.
Пакет Конспект: TO-247-4L
