Сильная энергия DS-SPS820F08HDM4-S04090002
750 В 820A IGBT Полное Мост Модуль
750 В 820A IGBT
Особенности:
□ Технология 750В Trench+ Field Stop
□ Диоды с свободными колесами с быстрой и мягкой обратной рекуперацией
□ VCE ((sat)с положительным температурным коэффициентом
□ Низкие потери при переключении
□ Прочность короткого замыкания
□ Двигатели
□ Гибридные электромобили
□ Автомобильные приложения
□ коммерческие сельскохозяйственные транспортные средства
Пакет
| Положение |
Символ |
Условия |
Ценности |
Единица |
|
Испытательное напряжение изоляции
|
ВИЗОЛ |
RMS, f = 0 Hz, t = 1 s |
4.2
|
kV
|
|
Материал основной платы модуля
|
|
|
Ку
|
|
|
Внутренняя изоляция
|
|
(класс 1, IEC 61140)
Основная изоляция (класс 1, IEC 61140)
|
Аль.2О3
|
|
|
Расстояние ползания
|
ДРЕПП |
Терминал к теплоотводу |
9.0 |
мм
|
| ДРЕПП |
терминал к терминалу |
9.0 |
|
Разрешение
|
Да, ясно. |
Терминал к теплоотводу |
4.5 |
мм
|
| Да, ясно. |
терминал к терминалу |
4.5 |
|
Сравнительный индекс отслеживания
|
CTI |
|
> 200
|
|
| |
|
| Положение |
Символ |
Условия |
Ценности |
Единица |
| Минуточку. |
Тип. |
Макс. Макс. |
|
Модуль блуждающей индуктивности
|
LsCE |
|
|
10
|
|
nH |
|
Модульное сопротивление свинцу, терминалы - чип
|
RCC+EE |
|
TВ= 25°C |
|
0.75
|
|
mΩ
|
|
Температура хранения
|
Tstg |
|
-40
|
|
125
|
°C
|
|
Момент установки для установки модуля
|
М4 |
основной пластинки для теплоотвода |
1.8
|
|
2.2
|
Nm
|
| M3 |
ПКБ к каркасу |
0.45
|
|
0.55
|
Nm
|
|
Вес
|
G |
|
|
725
|
|
g
|
IGBT
Максимальная Рейтинговый Ценности
| Положение |
Символ |
Условия |
Ценности |
Единица |
|
Напряжение коллектора-излучателя
|
VCES |
|
Tвж= 25°C |
750
|
V
|
|
Максимальное напряжение порта-излучателя
|
VGES |
|
± 20
|
V
|
|
Переходное напряжение порта-излучателя
|
VGES |
tp≤ 10μs, D=0.01 |
± 30
|
V
|
|
Внедренный ток коллектора
|
ICN |
|
820
|
А.
|
|
Постоянный ток в коллекторе постоянного тока
|
Я...В |
TF= 80°C, Tvjmax= 175°C |
450
|
А.
|
|
Импульсный ток коллектора,tp ограничен Tjmax
|
ICpulse |
|
1640
|
А.
|
|
Рассеивание энергии
|
Ptot |
|
TF=75°C |
769
|
W
|
| Положение |
Символ |
Условия |
Ценности |
Единица |
| Минуточку. |
Тип. |
Макс. Макс. |
|
Напряжение насыщения коллектора-излучателя
|
VCE ((sat) |
Я...В=450A, VГЭ=15В |
Tвж= 25°C |
|
1.20 |
1.40 |
V
|
| Tвж=125°C |
|
1.24 |
|
| Tвж= 150°C |
|
1.27 |
|
| Я...В=820A, VГЭ=15В |
Tвж= 25°C |
|
1.40 |
1.60 |
| Tвж=125°C |
|
1.55 |
|
| Tвж= 150°C |
|
1.60 |
|
|
Пороговое напряжение
|
VGE ((th) |
VCE=VГЭЯ...В= 9,6mA |
5.1
|
5.8
|
6.5
|
V
|
|
Ограничительный ток коллектора-излучателя
|
ICES |
VCE=750В, VГЭ=0В |
Tвж= 25°C |
|
|
100 |
μA |
| Tвж= 150°C |
|
|
5 |
mA |
|
Ток утечки от порта-излучателя
|
IGES |
VCE=0V,VГЭ=±20В, Tвж= 25°C |
-200.
|
|
200
|
nA
|
|
Сбор за вход
|
Q.G |
VCE= 400 В, IВ= 450 А, ВГЭ=-8/+15В |
|
1.6
|
|
μC
|
|
Внутренний резистор шлюза
|
RGint |
|
|
0.8
|
|
Ω
|
|
Вводная емкость
|
Сие |
VCE=25В, VГЭ=0V, f =100kHz |
|
42.4
|
|
nF
|
|
Выходная емкость
|
Коэ |
|
3.1
|
|
|
Капацитет обратной передачи
|
Крес |
|
0.8
|
|
|
Время задержки включения, индуктивная нагрузка
|
Включено |
VCC= 400 В,IВ=450A RГон= 2,5Ω,
VГЭ=-8/+15В
|
Tвж= 25°C |
|
90 |
|
n |
| Tвж=125°C |
|
92 |
|
n |
| Tвж= 150°C |
|
96 |
|
n |
|
Время подъема, индуктивная нагрузка
|
tr |
Tвж= 25°C |
|
64 |
|
n |
| Tвж=125°C |
|
68 |
|
n |
| Tвж= 150°C |
|
70 |
|
n |
|
Время задержки отключения, индуктивная нагрузка
|
Тд ((отключено) |
VCC= 400 В,IВ=450A RГофф.= 5,1Ω,
VГЭ=-8/+15В
|
Tвж= 25°C |
|
520 |
|
n |
| Tвж=125°C |
|
580 |
|
n |
| Tвж= 150°C |
|
590 |
|
n |
|
Время падения, индуктивная нагрузка
|
tf |
Tвж= 25°C |
|
200 |
|
n |
| Tвж=125°C |
|
310 |
|
n |
| Tвж= 150°C |
|
320 |
|
n |
|
Потеря энергии при включении на импульс
|
Эон |
VCC= 400 В,IВ=450A RG= 2,5Ω,RГофф.= 5,1Ω VГЭ=-8/+15В |
Tвж= 25°C |
|
15.0 |
|
mJ |
| Tвж=125°C |
|
18.0 |
|
mJ |
| Tвж= 150°C |
|
20.0 |
|
mJ |
|
Выключить потерю энергии на импульс
|
Еоф |
Tвж= 25°C |
|
33.5 |
|
mJ |
| Tвж=125°C |
|
41.0 |
|
mJ |
| Tвж= 150°C |
|
43.0 |
|
mJ |
| Положение |
Символ |
Условия |
Ценности |
Единица |
| Минуточку. |
Тип. |
Макс. Макс. |
|
Данные SC
|
МКК |
VГЭ≤ 15 В, ВCC=400В |
tp≤3μs Tвж= 150°C |
|
|
5400
|
А.
|
|
Тепловое сопротивление IGBT, жидкость охлаждения соединения
|
RthJF |
|
|
|
0.13
|
К / В
|
|
Операционная температура
|
TJop |
|
-40
|
|
175
|
°C
|
Диод
Максимальная Рейтинговый Ценности
| Положение |
Символ |
Условия |
Ценности |
Единица |
|
Повторяющееся обратное напряжение
|
VRRM |
|
Tвж= 25°C |
750
|
V
|
|
Внедренный переходный ток
|
ICN |
|
820
|
А.
|
|
Постоянный постоянный ток вперед
|
Я...F |
TF= 80°C, Tvjmax= 175°C |
450
|
А.
|
|
Диодный импульсный ток,tp ограниченный TJmax
|
IFpulse |
|
1640
|
Характеристика Ценности
| Положение |
Символ |
Условия |
Ценности |
Единица |
| Минуточку. |
Тип. |
Макс. Макс. |
|
Напряжение вперед
|
VF |
Я...F= 450 А, ВГЭ=0В |
Tвж= 25°C |
|
1.20 |
1.60 |
V
|
| Tвж=125°C |
|
1.16 |
|
| Tвж= 150°C |
|
1.14 |
|
| Я...F=820A, VГЭ=0В |
Tвж= 25°C |
|
1.42 |
1.80 |
| Tвж=125°C |
|
1.43 |
|
| Tвж= 150°C |
|
1.44 |
|
|
Время обратного восстановления
|
trr |
Я...F=450А
ДИF/dt=-6700A/μs (T)вж=150°C) VR= 400 В,
VГЭ=-8В
|
Tвж= 25°C |
|
122 |
|
n
|
| Tвж=125°C |
160 |
| Tвж= 150°C |
172 |
|
Пиковый обратный рекуперативный ток
|
IRRM |
Tвж= 25°C |
|
295 |
|
А.
|
| Tвж=125°C |
360 |
| Tвж= 150°C |
375 |
|
Сбор за возврат средств
|
QRR |
Tвж= 25°C |
|
28.5 |
|
μC
|
| Tвж=125°C |
40.5 |
| Tвж= 150°C |
43.5 |
|
Потери энергии обратной рекуперации на импульс
|
Эрек |
Tвж= 25°C |
|
6.2 |
|
mJ
|
| Tвж=125°C |
11.7 |
| Tвж= 150°C |
13.2 |
|
Тепловое сопротивление диодов, жидкость охлаждения с соединением
|
RthJFD |
|
|
|
0.25
|
К / В
|
|
Операционная температура
|
TJop |
|
-40
|
|
175
|
°C
|
НТК-термистор
Характеристика Ценности
| Положение |
Символ |
Условия |
Ценности |
Единица |
|
Номинальное сопротивление
|
R25 |
|
TВ= 25°C |
5.00
|
kΩ
|
|
Значение B
|
R25/50 |
|
3375
|
К
|
Выпуск характеристика (типичная) Выпуск характерный (типичный)
Я...В= f (VCE) Твж= 150°C
IGBT
Перевод характеристика (типичная) Потери переключения IGBT (типичная)
Я...В= f (VГЭ) VCE= 20В E = f (RG)
VГЭ= -8/+15В, IВ= 450A, VCE= 400 В
IGBT(RBSOA)
Потери переключения IGBT (типичные) Обратные предвзятость безопасно работающий Площадь (RBSOA)
E = f (IВ) IВ=f (V)CE)
VГЭ= -8/+15В, RГон= 2,5Ω,RГофф.= 5.1Ω, VCE= 400 ВГЭ= -8/+15В, RГоф= 5,1Ω, Tвж= 150°C
Типичный емкость как Функция коллектор-эмитент напряжение (типичный)
C = f (V)CE) VГЭ= f (QG)
f = 100 кГц, VГЭ= 0V IВ= 450A, VCE= 400 В
IGBT
IGBT преходящий тепловая Импеданс Вперед характеристика из Диод (типичный)
Zth(j-c) = f (t) IF= f (VF)
Потери переключения Диод (типичный) Потери переключения Диод (типичный)
ЕРекс= f (RG) EРекс= f (IF)
Я...F= 450A, VCE= 400 В RG= 2,5Ω, VCE= 400 В
Диод преходящая тепловая Импеданс NTC-Термистор-температура характеристика (типичный)
Zth(j-c) = f (t) R = f (T)
Модуль IGBT в инверторе представляет собой компактную сборку, содержащую изолированные биполярные транзисторы (IGBT) и другие компоненты.IGBT играют решающую роль в переключении и преобразовании постоянного тока (DC) в переменный ток (AC) в устройствах, таких как двигателиМодуль упрощает интеграцию, а правильное охлаждение имеет важное значение для эффективности и надежности.
Круговая диаграмма заголовок
Пакет Очертания
Размеры в мм
мм
