CO. технологии электроники Hefei Hemei, Ltd
Hefei Hemei Electronics Technology Co., Ltd
Add to Cart
Ядр пермаллоя
Применение:
Они соответствующие для применения в слабом магнитном поле, могут быть использованы для изготовляя высокой чувствительности и небольшого трансформатора, усилителя низкой мощности магнитного, реле, головы прибора магнитный записывать, нул трансформаторов последовательности настоящих, конвертера силы, трансформатора точности настоящего, магнитного усилителя, трансформатора, дросселя, трансформатора ИМПа ульс, трансформатора ИМПа ульс полярности изменения, конвертера напряжения тока DC, магнитного модулятора/демодулятор, постоянн элемента индуктивности, униполярного трансформатора ИМПа ульс, магнитный защищать, и так далее.
Параметры
| Размер (mm) | Течение входного сигнала (a) | Сила выхода (mW) |
| 55*65*5 | 10 | минута 13mW |
| 55*75*10 | 5 | минута 38mW |
| 55*75*12 | 5 | минута 45mW |
| 48*68*15 | 5 | минута 50mW |
| 55*75*20 | 3 | минута 45mW |
параметр:
| РАЗМЕР | Течение входного сигнала | Коэффициент поворотов | Рабочая нагрузка | Напряжение тока | Сила выхода |
| 55*65*5mm | 10A | 900T | 1K | 3.7V | 13mW |
| 55*75*10mm | 5A | 400T | 400Ω | 3.9V | 38mW |
| 54*78*12mm | 5A | 500T | 1K | 7V | 49mW |
| 67*47*15mm | 5A | 400T | 750Ω | 6V | 48mW |
| 55*75*20mm | 3A | 250T | 500Ω | 4.3V | 36mW |
| 95*75*20mm | 3A 5A | 250T | 400Ω 300Ω | 3.4V 4.5V | 28mW 67mW |
| 85*55*25mm | 3A 5A | 250T | 600Ω 500Ω | 5.4V 7.6V | 48mW 115mW |
| 88*67*10mm | 5A | 400T | 500Ω | 4.5V | 40mW |
| 72*47*27mm | 3A 5A | 250T | 600Ω 500Ω | 5.6V 7.7V | 52mW 118mW |
| 63*50*12mm | 5A | 400T | 300Ω | 2.9V | 28mW |
| 58*42*8mm | 5A | 400T | 300Ω | 2.7V | 24mW |
| 58*45*20mm | 5A | 400T | 300Ω | 5.3V | 46mW |
| 50*35*15mm | 5A | 400T | 400Ω | 3.7V | 34mW |
| 48*38*10mm | 5A | 900T | 1K | 4.7V | 22mW |
| 43*33*6mm | 5A | 900T | 600Ω | 2.6V | 11mW |
| 40*25*15mm | 5A | 400T | 500Ω | 5V | 50mW |
| 43*33*9mm | 5A | 900T | 1K | 4.5V | 20mW |
