Shenzhen Socay Electronics Co., Ltd.

25+ лет поставщик компонентов.

Manufacturer from China
Активный участник
2 лет
Главная / продукты / Thyristor Surge Suppressors /

Низкомощные тиристорные подавляющие приливы ТСС полупроводниковый компонент P0640SB

контакт
Shenzhen Socay Electronics Co., Ltd.
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MrsSun
контакт

Низкомощные тиристорные подавляющие приливы ТСС полупроводниковый компонент P0640SB

Спросите последнюю цену
Номер модели :P0640SB
Место происхождения :Шэньчжэнь, Гуандун, Китай
Минимальное количество заказа :2500pcs
Время доставки :1-3 недели
Подробная информация об упаковке :ленточный катушек, оптом
Ключевые слова :ДИОДЫ
Пакет :DO-214AA/SMB
Применение :защитная плата;
Тип установки :Количество площадей
ВДРМ (мин.) :58V
IDRM :5μA
Vs @100V/μS (максимум) :77V
Это (макс.) :2.2А
Vt @It=2.2A (максимум) :4V
C0 @1MHz,2V Bias (Тип.) :60pF
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Низкомощные тиристорные подавляющие приливы ТСС полупроводниковый компонент P0640SB

 

DATASHEET: DATASHEET: DATASHEET: DATASHEET: DATASHEET DATASHEET DATASHEET DATASHEET DATASHEET DATASHEET DATASHEET DATASHEET DATASHEET DATASHEET DATASHEET DATASHEET DATASHEET DATASHEET DATASHEET DATASHEET DATASHEET DATASHEET DATASHEET DATASHEET DATASHEET DATASHEET DATASHEET DATASHEET DATASHEET DATASHEET DATASHEET DATASHEET DATASHEET DATASHEET DATASHEET DATASHEET DATASHEET DATASHEET DATASHEET DATASHEET DATASHEET DATASHEET DATASHEET DATASHEET DATASHEET DATASHEET DATASPXXX0SB_v2103.1.pdf

 

Номер части Маркировка VDRM@IDRM=5μA

VS

@100В/μS

VT @IT=2,2A Я...S Я...T Я...H

C0 2

@ 1 МГц, 2 В предубеждение

    Vминуты Vмаксимум Vмаксимум mAмаксимум А.максимум mAминуты pF тип
P0080SB P008B 6 25 4 800 2.2 50 80
P0300SB P03B 25 40 4 800 2.2 50 80
P0640SB P06B 58 77 4 800 2.2 150 80
P0720SB P07B 65 88 4 800 2.2 150 75
P0900SB P09B 75 98 4 800 2.2 150 70
P1100SB P11B 90 130 4 800 2.2 150 70
P1300SB P13B 120 160 4 800 2.2 150 65
P1500SB P15B 140 180 4 800 2.2 150 65
P1800SB P18B 170 220 4 800 2.2 150 65
P2300SB P23B 190 260 4 800 2.2 150 60
P2600SB P26B 220 300 4 800 2.2 150 60
P3100SB P31B 275 350 4 800 2.2 150 50
P3500SB P35B 320 400 4 800 2.2 150 50
P4200SB P42B 400 520 4 800 2.2 150 40

Примечания:

1 В измеряется при 100 КВ/с.

2 Капацитанция в состоянии отключения измеряется в VDC=2V, VRMS=1В, f=1МГц.

 

 

Низкомощные тиристорные подавляющие приливы ТСС полупроводниковый компонент P0640SB

Введение:

ТСС характеризуются точной проводимостью, быстрой реакцией, высокой способностью поглощения волн, двуосевой симметрией и высокой надежностью.

 

 

 

Рабочий принцип

 

При параллельном подключении к цепи и неподвижности устройства значение сопротивления высокое и может рассматриваться как открытая цепь с незначительным или отсутствующим воздействием на цепь.Если есть аномальный пульсКогда аномальное высокое напряжение исчезает, оно возвращается в состояние высокого сопротивления и схема работает нормально.

 

Параметр Определение
Я...S Переключающий ток- максимальный ток, необходимый для перехода на состояние включения
Я...DRM Ток утечки- максимальный пиковый отключенный ток, измеренный в VDRM
Я...H Сохранный ток- минимальный ток, необходимый для поддержания состояния
Я...T Ток в режиме включения- максимальный номинальный непрерывный ток в состоянии включения
VS Напряжение переключения- максимальное напряжение перед переключением на
VDRM Пиковое напряжение вне состояния- максимальное напряжение, которое может быть применено при сохранении отключенного состояния
VT Напряжение в режиме включения- максимальное напряжение, измеренное при номинальном текущем состоянии
В0 Капацитет вне состояния- типичная емкость, измеренная в состоянии отключения

 

 

Серия 2/10μS1 8/20μS1 10/160μS1 10/560μS1 10/1000μS1 5/310μS1

Я...ТСМ

50/60 Гц

di/dt
  2/10μS2 1.2/50μS2 10/160μS2 10/560μS2 10/1000μS2 10/700μS2    
  Минуту. Минуту. Минуту. Минуту. Минуту. А.минуты Минуту. Ампер/μs максимум
В. 250 250 150 100 80 100 30 500

 

Примечания:

  • Форма волны тока в μs
  • Форма волны напряжения в μs

 

 

 

 

 

- Пиковый импульс номинального токаPP) является повторяющимся и гарантированным на протяжении всего срока службы продукта.

- Я...PPноминалы, применимые в диапазоне температур от -40 до +85 °C

- Устройство должно сначала находиться в тепловом равновесии при -40°C < TJ< + 150°C

 

 

 

 

 

 

 

 

Блокировка высокотемпературного напряжения 80% номинальный VDRM (пик VAC) +125°C или +150°C, свинцовый материал Сплав меди высокотемпературное напряжение блокирование 504 или 1008 ч. MIL-STD-750 (метод 1040) JEDEC, JESD22-A-101  
     
Температурный цикл -65°C до +150°C, 15 мин. остановки, 10 до 100 циклов.  
     
Уклонение температуры и влажности 52 VDC (+85°C) 85% RH, 504 до 1008 ч. EIA/ JEDEC, JESD22-A-101  
Хранение при высокой температуре +150°C 1008 ч. MIL-STD-750 (метод 1031) JEDEC, JESD22-A-101  
Хранение на низкой температуре -65°C, 1008 часов.  
Тепловой удар 0°C до +100°C, 5 мин. остановки, 10 сек. переноса, тепловой шок 10 циклов.  
Автоклав (испытание на печь под давлением) +121°C, 100% RH, 2 atm, 24 до 168 ч.  
Устойчивость к нагреванию сварки +260°C, 30 сек. MIL-STD-750 (метод 2031)  
Уровень чувствительности к влаге 85% RH, +85°C, 168 часов, 3 цикла повторного потока Уровень (+260°C Пик).  

 

Свинцовый материал Сплав меди  
Окончание терминала 100% матовый оловянный  
Материал корпуса UL признанный эпоксид, соответствующий классификации воспламеняемости 94V-0  

 

 

Номер части Пакет компонентов Количество Опаковка Вариант Спецификация упаковки  
Пxxx0SB DO-214AA 2500 Лента и катушка - 12 мм/13′′ лента ОВОС -481 - D  

 

 

 

 

Низкомощные тиристорные подавляющие приливы ТСС полупроводниковый компонент P0640SB

Низкомощные тиристорные подавляющие приливы ТСС полупроводниковый компонент P0640SB

Низкомощные тиристорные подавляющие приливы ТСС полупроводниковый компонент P0640SB

Низкомощные тиристорные подавляющие приливы ТСС полупроводниковый компонент P0640SB
 

Запрос Корзина 0