BS816A-1 П-КАНАЛЬ УЗРОВАНИЯ МОДА ДМОС-ТРАНЗИСТОР РЧ-Транзисторы Производитель: Диоды Категория продукции: Улучшение П-канала RoHS: Подробная и.........
Add to Cart
Номер части: BFP420H6327XTSA1 Обзор продукта:ВBFP420H6327XTSA1является высокопроизводительнымТранзистор NPN RFЭтот компонент предназначен для примене.......
Add to Cart
ФЭТ С-диапазона транзистора силы ФЛМ0910-25Ф РФ внутренне, который соответствуют ОПИСАНИЕ ФЛМ0910-25Ф ФЭТ ГаАс силы который внутренне диапазоны частот ......
Add to Cart
...
Add to Cart
Модуль беспроводной связи QPD0007 однопутный 5GHz 20W 48V GaN RF транзистор [Преимущество MJD] + 15 лет опыта работы с электронными компонентами +.........
Add to Cart
Усилитель силы усилителя 2.4GHz 802.11b/g/n WLAN TXtelsig YP242434 Wifi RF YP242434 высокомощный, высоко- усилитель силы линеарностей основанный на.........
Add to Cart
SSM6N48FU, RF (спецификации d Состояние части Устарелый Т...
Add to Cart
Название продукта: PD57018-E Изготовитель: STMicroelectronics Категория продукта: Транзисторы влияния поля полупроводника мет.........
Add to Cart
VISHAY IC S525T-GS08Поверхностная установка SOT-223 S525T Параметры продукта Производитель: Вишай Категория продукции: Транзисторы МОСФЕТ Поля.........
Add to Cart
MOSFETS транзистора силы PD85035S-E PD85035STR-E PD85035-E RF PD85035-E N-канал общедоступного источника, сила RF пол-влияния повышени-режима боковая.......
Add to Cart
Транзистор RFP-LD10M влияния поля полупроводника металлической окиси PXAC241702FC-V1-R250 RF (MOSFET RF)......
Add to Cart
Фильтр RF резонатора кварцевого осциллятора сделанный из кварца В кварцевом осцилляторе (SMD), обычный активный генератор имеет 4 штыря, и диффер.........
Add to Cart
Параметр продукта Частота 900 МГц Прибыль 47 дБм Размер 37.3*112*19.5 мм Сила 50 Вт Плоскость мощности 1-1.5 дБ Ток подачи 2.4А.........
Add to Cart
Держатель PG-TSFP-3 транзистора NPN 9V 35mA 14GHz 210mW RF поверхностный...
Add to Cart
Радиочастотный транзистор 2 NPN (двойной) 10В 35mA 8GHz 200mW Наземная установка SOT-363...
Add to Cart