p mosfet высокий боковой переключатель

IRF840PBF MOSFET Высокоскоростное переключение Низкое сопротивление во включенном состоянии и максимальная выходная мощность Параметр.........

Транзистор ОЭМ сильнотоковый/переключатель Мосфет прочного канала п высокий бортовой Сильнотоковое описание особенности транзистора 40В/1.........

ДЖИ21Л повсюду встают на сторону водитель, высокое напряжение, высокоскоростной водитель МОСФЭТ силы и ИГБТ основанные на процессе П-СУБ П-ЭПИ. .........

Многоцелевой высокомощный мосфет для жесткого переключения резонансных переключающих этапов PWM Особенности • Быстрое переключение • Низкое сопротив........

Описание продукта: MOSFET высокого напряжения Высоковольтные MOSFET - это встроенные FRD HV MOSFET, предлагающие сверхвысокое напряжение и большую т........

выпрямитель тока электропитания ДК ИГБТ 12волт 300Амп высокочастотный переключая Блок электропитания (также известный как выпрямитель тока СМР переклю......

Тип кремния НПН модуля транзистора силы ТОШИБА эпитаксиальный (4 транзистора силы Дарлинтон в одном) МП4104 Применения переключения на.........

Переключатель транзистора ТОПФЭТ ПоверМОС транзисторов БУК201-50И НПН ПНП высокий бортовой ОПИСАНИЕ Монолитовая температура и переключатель мощности з......

Трансформатор привода ворот EP5 EPA4493G-LF SMPS 250uH Характеристики: ●Высокоскоростной переключая трансформатор для AC соединилВозбуждающие кон.........

Транзисторы Mosfet наивысшей мощности MOSFET PowerTrench N-канала FDP085N10A Особенности • RDS (дальше) = 7.35mΩ (тип.) @ VGS = 10V, ID = 96A • Б.........

JY12M n и MOSFET p Chennel 30V с быстрой переключая скоростью для применений инвертора Общее описание JY12M тип транзистора поля силы конструиро.........

Автомобильные модули IGBT GCMX080B120S1-E1 Модули высокоскоростного переключения питания MOSFET [Преимущество MJD] + 15 лет опыта работы с электро.........

МОСФЭТ Н-канала сопротивления На-государства применений переключения Ультравысок-скорости 2СК1423 К1423 ТО3П низкий Список других электронных блоков в ......

Общее описание: JY16M использует новейшие методы обработки траншеи для достижения высокой плотности клеток и уменьшает сопротивление при высоком уро........

РенезаHAT2029R-EL-EЭлектронные компоненты HAT2029R-EL-E DC:22+ Пакет:SOP-8 Бренд:RENESAS Полупроводниковые решения-REN......

...

...

Вид продукции Применения MOSFET STMicroelectronics STP110N8F6 транзисторов полупроводников IDiscrete переключая N-канал 80 v MOSFET, 0,0056 типа.........