n channel mos field effect transistor

Интегрированные схемы IC оригинальный и новый,CJ2304 SOT-23 N-канал MOS Транзистор с эффектом поля CJ/Changdian Original [Who - Мы что?] Shenzh.........

Транзистор Мосфет силы канала н, транзистор влияния поля МОС 2СК3561 Тип МОС канала н кремния транзистора влияния поля ТОШИБА (π-МОСВИ) 2СК3561 При.........

Новый и первоначальный транзистор влияния поля SOT-23 MOSFET SMD LP3407LT1G Продукты Описание: 1. Эти приборы Pb−Free, галоид свободный/BFR с.........

Обломок транзистора влияния поля MOS FDB2614 TO-263 совершенно новый и первоначальный интегральной схемаы ХАРАКТЕР ПРОДУКЦИИ Номер детали FD.........

Транзистор влияния поля 13A TK13A60D (STA4, q, m) ТОШИБА 600V MOS N-канала 0,33 омов Тип MOS канала n кремния транзистора влияния поля ТОШИБА Примен........

Вид продукции Fets P-канала 30v 4a Sot23 Mosfet силы транзистора влияния поля Ao3401a одиночные AO3401A использует предварительную технологию канавы........

Части машины сигареты транзистора влияния поля короля Размера Марк младенца Транзистор полупроводниковое устройство используемое для того чтобы у.........

15А 600В 274mΩ TO-220F Транзисторы с полевым эффектом металлического оксида-полупроводника N-канальный суперсоединительный MOSFET Часть No: LC60R2.........

трубка МОС транзистора силы ИПА80Р1К4П7 800В КоолМОСª П7 Особенности • Лучш-в-класс ФОМ РДС (дальше) * Эосс; уменьшенное Кг, Сисс, и.........

Описание продукта: MOSFET высокой мощности - это тип N-канального MOSFET, который широко используется в таких приложениях, как солнечный инвертор, в........

Onsemi NDT3055L/транзистор Фэйрчайлда - N-канал, уровень логики, влияние поля EnhancementMode описание 1.GeneralЭто effecttransistor поля силы ре.........

Транзистор 500В Пол-влияния силы МРФ151Г РФ, 50В, замена МОСФЭТ Н-канала 175МХз широкополосная для БЛФ278 Особенности 1, гарантированное представление ......

PMDXB600UNE 20V Dual N-channel Trench MOSFET Транзисторы 6-XFDFN Package Описание продукта PMDXB600UNE PMDXB600UNE — это двухканальный полев.........

MOSFETS транзистора силы PD85035S-E PD85035STR-E PD85035-E RF PD85035-E N-канал общедоступного источника, сила RF пол-влияния повышени-режима боковая.......

♦ электронная почта: miya@mvme.cn ♦ Skype: miyazheng520 ♦ QQ: 2851195450 ♦ Whats App: 86-18020776792 Общая информация ABB 3BHE006412R......