Транзистор Мосфет силы канала н, транзистор влияния поля МОС 2СК3561 Тип МОС канала н кремния транзистора влияния поля ТОШИБА (π-МОСВИ) 2СК3561 При.........
Add to Cart
Транзистор влияния поля 13A TK13A60D (STA4, q, m) ТОШИБА 600V MOS N-канала 0,33 омов Тип MOS канала n кремния транзистора влияния поля ТОШИБА Примен........
Add to Cart
Канал SOIC-8 n трубки MOS транзистора FDS6699S Описание продуктов: 1. модель продукта: FDS6699S 2. описание: MOSFET 3. канал 21 a 30 v 3,6.........
Add to Cart
Трубка MOS SVF840F SILAN 8A 500V высоковольтная Описание: Транзистор влияния поля MOS силы режима повышения N-канала SVF840F/D/S/MJ высо.........
Add to Cart
Транзисторы TO-247-3 TW015N120C, транзисторы 1200V MOSFETs FETs N-канала S1F одиночные Характер продукции TW015N120C, S1F TW015N120C, S1F транз.........
Add to Cart
Трубка МОС влияния поля транзистора силы серии 700В КоолМОС П7 ИПД70Р1К4П7С Особенности • Весьма - низкие потери должные к очень низкому.........
Add to Cart
Вид продукции Fets P-канала 30v 4a Sot23 Mosfet силы транзистора влияния поля Ao3401a одиночные AO3401A использует предварительную технологию канавы........
Add to Cart
Описание продукта: Представляем высоковольтный MOSFET, транзистор MOS-Gate, специально разработанный для применения сверхвысокого напряжения.Промышл........
Add to Cart
Части машины сигареты короля Размера Кремния Транзистора D2PAK Электрическ Марк младенца Транзистор полупроводниковое устройство используемое для.........
Add to Cart
Подробная информация о продукции ОписаниеL4973 представляет собой монолитный регулятор переключения питания, обеспечивающий 3,5 А при фиксир.........
Add to Cart
3.5 дюймов Tn резистивный ЖК-дисплей 320x480 разрешения и совместимый Mcu Spi Rgb многоинтерфейс ChengHao Дисплей модели CH350HV15A-T является цвет.........
Add to Cart