Транзистор с эффектом поля полупроводникового оксида металла

15А 600В 274mΩ TO-220F Транзисторы с полевым эффектом металлического оксида-полупроводника N-канальный суперсоединительный MOSFET Часть No: LC60R2.........

Описание продукта: MOSFET высокой мощности - это тип N-канального MOSFET, который широко используется в таких приложениях, как солнечный инвертор, в........

Название продукта: PD57018-E Изготовитель: STMicroelectronics Категория продукта: Транзисторы влияния поля полупроводника мет.........

Канал полупроводников IRFS3207ZTRRPBF n транзистора влияния поля транзисторов MOSFET дискретный Вид продукции Канал полупроводников IRFS3207Z.........

Транзистор RFP-LD10M влияния поля полупроводника металлической окиси PXAC241702FC-V1-R250 RF (MOSFET RF)......

Совершенно новые части машины сигареты транзистора транзистора влияния поля Irfz44ns MK8D Транзистор полупроводниковое устройство используемое дл.........

Транзистор одиночный п Мосфет силы ФДС9435А - транзистор влияния поля канала Общее описание Этот МОСФЭТ П-канала изрезанная версия ворот.........

Новый и первоначальный транзистор влияния поля SOT-23 MOSFET SMD L2N7002LT1G Продукты Описание: 1. диссипация силы PD| описание 300mW/0.3W &.........

Варистор 07D511K 320V 7mm металлической окиси ДВИЖЕНИЙ диска креста MYG GNR Littelfuse V07E320P ПРИМЕНЕНИЯ варистора 07D511K металлической окиси *.........

Варистор металлической окиси мовс руководства 3 сини 14мм 560в КВР-14Д 561К радиальный для генератора Быстрая деталь: 1. Аттестация УЛ 2. Радиальный о......

UL одобренный ZNR Поглотители преходящих волн Варистор оксида металла 05D471K 5mm 470V 300VAC 385VDC 800A 0.1W 21J Особенности ● Высокая спосо.........

Характер продукции: Датчик водопода Окис-полупроводника TGS2615-E00 Особенности: TGS2615-E00: принцип полупроводника металлической окиси, конст.........

Новая термальная проводимость пусковой площадки Zpaster160-20-11F 2W продуктов 1.5mmT решения управления свободная от силикон термальная Направление к......

ГОРЯЧИЕ компоненты электроники транзистора Sak-tc387qp Sak-tc387qp-160f300s Ae Tc387qp-160f300s Mosfet MOSFET (транзистор пол-влияния металл-окис.........

DMT6009LSS-13 одиночные транзисторы канала 60V 10.8A MOSFET n Полупроводник MOSFET N-CH 60V 10.8A 8SO T&R 2 FETS дискретный Спецификация DM.........

Молниеносная защита типа MYL1 для транзисторов, диодов, полупроводниковых коммутационных компонентов Введение Варистор молниезащиты типа MYL1 пре.........

Дискретные транзисторы MOSFETs продуктов полупроводника IPDQ60R040S7XTMA1 Характер продукции IPDQ60R040S7XTMA1 MOSFETs силы IPDQ60R040S7XT.........

Характер продукции СОБРАНИЕ ПРЕКРАЩЕНИЯ ПОЛЯ ЦИФРОВОГО ВХОДНОГО СИГНАЛА ХОНИУЭЛЛ MC-TDIY22 Техническое применение Сиг.........

Н-канал 200В 43А 3.8В 300В ИРФБ38Н20ДПБФ через МОСФЭТ отверстия ТО-220АБ СМПС Применения л высокочастотные конвертеры ДК-ДК л ТО-220 доступен в ПбФ ка......