Икс игбт

IXYH30N450HV IGBT PT 4500 v 60 a 430 w до отверстие TO-247HVIXYS IXYT30N450HV & IXYH30N450HV XPT™ IGBTsОсобенность IXYS IXYT30N450HV и IXYH30N45......

IXGH24N170 IXYS БТИЗ высокого напряжения IXGH24 IGBT 1700V 50A 250W TO247AD Дискретные полупроводниковые изделия Спецификация: Высоковольтный.........

Характер продукции Продуктыполупроводника IXGH24N170 IXYS высоковольтные IGBT IXGH24IGBT1700V50A250WTO247ADдискретные Спецификация: Высоково.........

Модуль наивысшей мощности ИГБТ модуля МДД44-16Н1Б диода тиристора ИСИС Нога участка модулей полупроводника электронных блоков дискретная О.........

IXGH6N170A Силовой модуль IGBT Транзисторы IGBT Single Технические характеристики IXGH6N170A Статус детали Активный Тип БТИЗ.........

QYT Изготовитель IXYS Упаковка Большая часть Состояние части Активный Структура Серия сое......

Транзисторы мосфет наивысшей мощности ПРИМЕНЕНИЙ УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ 2СК5200-О СПИСОК ЗАПАСА МПК89Э58АФ 5910 М.........

IXFN38N100Q2 Дискритетные полупроводниковые модули 38 Ампер 1000В 0,25 Rds Производитель: IXYS Категория продукции: Дискретные полупроводниковые.........

IXBF40N160, от IXYS, это IGBT транзисторы. то, что мы предлагаем, имеет конкурентоспособную цену на мировом рынке, которые находятся в оригинальных и.......

IXYX30N170CV1, от IXYS, IGBT Transistors.what мы предложить иметь конкурентоспособную цену в мировом рынке, которые в первоначальных и новых частях. Е......

IXGR48N60C3D1, от IXYS, это IGBT транзисторы. то, что мы предлагаем, имеет конкурентоспособную цену на мировом рынке, которые находятся в оригинальных......

MOSFETs HiPerFET силы Mosfet 800V 27A 0,32 Rds канала IXFK27N80Q n Описание MOSFETs Q-CLASS силы HiPerFETTM Одиночный MOSFET умирает Лавина реж.........

IXGH48N60B3, от IXYS, это модули IGBT. То, что мы предлагаем, имеет конкурентоспособную цену на мировом рынке, которые находятся в оригинальных и новы......

СПИСОК ЗАПАСА MT9V024IA7XTM 2499 НА 15+ BGA MCC21-1408B 4756 IXYS 14+ IGBT CM100DU-24NFH 378...