транзистор влияния поля

Канал полупроводников IRFS3207ZTRRPBF n транзистора влияния поля транзисторов MOSFET дискретный Вид продукции Канал полупроводников IRFS3207Z.........

Транзистор влияния поля 13A TK13A60D (STA4, q, m) ТОШИБА 600V MOS N-канала 0,33 омов Тип MOS канала n кремния транзистора влияния поля ТОШИБА Примен........

Предложение штока транзистора влияния поля MOS транзистора 2SK3797 Pin IC 3 тип MOS N-Канала кремния транзистора влияния поля 2SK3797 .........

Совершенно новые части машины сигареты транзистора транзистора влияния поля Irfz44ns MK8D Транзистор полупроводниковое устройство используемое дл.........

Новый и первоначальный транзистор влияния поля SOT-23 MOSFET SMD LP3407LT1G Продукты Описание: 1. Эти приборы Pb−Free, галоид свободный/BFR с.........

транзистор влияния поля транзистора силы ИПА80Р1К4КЭ КЭ 800В КоолМОСТМ Описание КЭ КоолМОС™ революционная технология для высоковольт.........

Интегрированные схемы IC оригинальный и новый,CJL2019 SOT-23 N-канал 5A20V Транзистор с эффектом поля CJ/Changjing Original [Who - Мы что?] She.........

Описание продукта: Силиконовый карбидный металлоксидный полупроводниковый транзистор с эффектом поля (SiC MOSFET) - это устройство высокой мощности,........

15А 600В 274mΩ TO-220F Транзисторы с полевым эффектом металлического оксида-полупроводника N-канальный суперсоединительный MOSFET Часть No: LC60R2.........

Обломок транзистора влияния поля MOS FDB2614 TO-263 совершенно новый и первоначальный интегральной схемаы ХАРАКТЕР ПРОДУКЦИИ Номер детали FD.........

Onsemi NDT3055L/транзистор Фэйрчайлда - N-канал, уровень логики, влияние поля EnhancementMode описание 1.GeneralЭто effecttransistor поля силы ре.........

автомобиль 238W откалывает транзисторы TO-247-3 диафрагмы поля зрения канавы AFGHL40T65SPD IGBT Характер продукции AFGHL40T65SPD Транзист.........

I/O 484FBGA Intel EP4CE40F23I7N IC FPGA 328 Детали продукта Описание:Altera EP4CE40F23I7N прибор вентильной матрицы поля Programmable (FPGA.........

Общее описание: Продукт использует передовые планарные методы обработки для достижения высокой плотности клеток и уменьшает сопротивление с высоким.........

Описание продукта Параметры продукта Наименование продуктаDY-M1 Грузовой трехколесныйДвигатель250cc, охлаждение водойРазмер груза2.5*1.4мПередняя/з.........

ГОРЯЧИЕ компоненты электроники транзистора Sak-tc387qp Sak-tc387qp-160f300s Ae Tc387qp-160f300s Mosfet MOSFET (транзистор пол-влияния металл-окис.........

Транзистор 500В Пол-влияния силы МРФ151Г РФ, 50В, замена МОСФЭТ Н-канала 175МХз широкополосная для БЛФ278 Особенности 1, гарантированное представление ......

MOSFETS транзистора силы PD85035S-E PD85035STR-E PD85035-E RF PD85035-E N-канал общедоступного источника, сила RF пол-влияния повышени-режима боковая.......