CVD SiC Epitaxy Wafer 2 дюймов 3 дюймов 4 дюймов 6 дюймов эпитаксическая толщина 2,5-120 мм для электропитания Описание продукта SiC Epitaxy Wafers: э......
Add to Cart
Керамический поднос из карбида кремния с покрытием CVD SiC Размер может быть настроен Подходит для высокотемпературного спекания Керамический подн.........
Add to Cart
Печь для эпитаксического роста с силиконовым карбидом (CVD SIC) HTCVD Это оборудование используется для покрытия карбидом кремния материалов на основе......
Add to Cart
Специализированные подшипники SSiC для вращающихся машин Описание индивидуальных подшипников SSiC: 1Керамика из карбида кремния в основном вкл.........
Add to Cart