
Add to Cart
Модуль транзистора модуля силы МГ200К1УС51 Тошиба ИГБТ
МГ200К1УС51
Характер продукции
Изготовленный мимо: Тошиба Америка, Инк.
Номер детали: МГ200К1УС51
Категория части: Транзисторы
Описание: 300А, 1200В, Н-КАНАЛ ИГБТ
Напряжение тока коллектор- эмиттера: 1200В
Напряжение тока Ворот-излучателя: 20В
Течение сборника (ДК): 300А
Пропускной ток: (ДК): 200А
Диссипация силы сборника: 1500В
Температура соединения: 150К
Напряжение тока изоляции (АК 1 МИН.): 2500В
Входная емкость (ВКЭ=10В, ВГЭ=0, ф=1МХз): 24нФ
Время переключения: (Индуктивная нагрузка ВКК=600В, ИК=200А, ВГЭ=15В, РГ=4.7Ω)
- Турн-он время: тип 0.05с.
- Время восхода: тип 0.05с.
- Турн-он время: тип 0.2с.
- Время задержки поворота-: тип 0.5с.
- Время падения: тип 0.1с. ; 0.3с максимальное.
- Время поворота-: тип 0.6с.
Пропускное напряжение (ИФ=200А, ВГЭ=0): тип 2.4В. ; 3.5В максимальное
Обратное время восстановления: тип 0.15с. ; 0.3с максимальное.
(ИФ=200А, ВГЭ=-10В, ди/дт=700А/с)
Ф&А
Вы имеете партнера в этом поле?
Наша компания имеет партнеров хорош-отношения в поле управлением автоматизации. Так мы можем всегда получать суппорот для цены и запаса.
Что ваш прогноз для этой индустрии?
Как больше и больше работа сделанная машиной, наше поле имеет благородное пропект в течение многих лет.
Что ваши ресурсы?
Наша команда и наш канал как в покупать, так и в продажи.