Производительность электроники MOSFET наивысшей мощности FDM6675BZ высокочастотная с предварительным термальным управлением

Спросите последнюю цену

Номер модели :FDMC6675BZ

Место происхождения :Оригинал

Количество минимального заказа :1

Условия оплаты :L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram

Способность поставки :999999

Срок поставки :1-3 дни

Упаковывая детали :Стандарт

Стеките к напряжению тока источника (Vdss) :30 v

Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C :9.5A (животики), 20A (Tc)

Rds на (Макс) @ id, Vgs :14.4mOhm @ 9.5A, 10V

Id Vgs (th) (Макс) @ :3V @ 250µA

Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs :65 nC @ 10 v

Vgs (Макс) :±25V

контакт

Add to Cart

Метки товара:

high power igbt

Запрос Корзина 0

Тип полевого транзистора	P-канал
Технологии	МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение сток-исток (Vdss)	30 В
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	9,5 А (Та), 20 А (Тс)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4,5 В, 10 В
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14,4 мОм при 9,5 А, 10 В
Vgs(th) (макс.) @ Id	3 В при 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	65 нКл при 10 В
VGS (макс.)	±25В
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	2865 пФ при 15 В
Полевой транзистор	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	2,3 Вт (Та), 36 Вт (Тс)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (ТДж)
Тип крепления	Поверхностное крепление
Пакет устройств поставщика	8-МЛП (3,3х3,3)
Пакет/кейс	8-PowerWDFN