
Add to Cart
Технологии
|
МОП-транзистор (оксид металла)
|
|
Напряжение сток-исток (Vdss)
|
|
|
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
|
|
|
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)
|
4,5 В, 10 В
|
|
Rds On (Max) @ Id, Vgs
|
16 мОм при 9 А, 10 В
|
|
Vgs(th) (макс.) @ Id
|
3 В при 250 мкА
|
|
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
|
12 нКл при 10 В
|
|
VGS (макс.)
|
±20В
|
|
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
|
720 пФ при 15 В
|
|
Полевой транзистор
|
-
|
|
Рассеиваемая мощность (макс.)
|
2,4 Вт (Та)
|
|
Рабочая Температура
|
-55°C ~ 150°C (ТДж)
|
|
Тип крепления
|
|
|
Пакет устройств поставщика
|
6-микрополевой транзистор (2x2)
|
|
Пакет/кейс
|
Список продуктов:
ON Semiconductor FDMA8878 MOSFET Силовая электроника
Ключевая особенность:
- Низкий RDS(on) 0,05 Ом
- Низкий заряд ворот
- Улучшенная Qg и безопасная рабочая зона
- Способность к высокому пиковому току
- Низкий заряд ворот
- Быстрое переключение
- Соответствует RoHS
- соответствует стандарту AEC-Q101
Приложения:
- DC/DC преобразователи
- Преобразователи постоянного/переменного тока
- Зарядные устройства для аккумуляторов
- Блоки питания для серверов/ноутбуков
- Автомобильные приложения
Технические характеристики:
- Напряжение сток-исток (VDS): 600 В
- Напряжение затвор-исток (VGS): ± 20 В
- Ток стока (ID): 58A
- RDS(вкл.): 0,05 Ом
- Максимальная рассеиваемая мощность (PD): 115 Вт
- Диапазон рабочих температур: от -55°C до 150°C