
Add to Cart
BSC011N03LSATMA1 MOSFET Power Electronics N-Channel OptiMOSTM Power-MOSFET 30 В
Тип полевого транзистора
|
|
|
Технологии
|
МОП-транзистор (оксид металла)
|
|
Напряжение сток-исток (Vdss)
|
|
|
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
|
|
|
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)
|
4,5 В, 10 В
|
|
Rds On (Max) @ Id, Vgs
|
1,1 мОм при 30 А, 10 В
|
|
Vgs(th) (макс.) @ Id
|
2,2 В при 250 мкА
|
|
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
|
72 нКл при 10 В
|
|
VGS (макс.)
|
±20В
|
|
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
|
4700 пФ при 15 В
|
|
Полевой транзистор
|
-
|
|
Рассеиваемая мощность (макс.)
|
2,5 Вт (Та), 96 Вт (Тс)
|
|
Рабочая Температура
|
-55°C ~ 150°C (ТДж)
|
|
Тип крепления
|
|
|
Пакет устройств поставщика
|
ПГ-ТДСОН-8-1
|
|
Пакет/кейс
|
Функции
• Оптимизирован для высокопроизводительного понижающего преобразователя
• Очень низкое сопротивление RDS(on)@VGS=4,5 В
• 100% протестировано лавинами
• Превосходная термостойкость
•N-канал
•Квалифицирован в соответствии с JEDEC1) для целевых приложений
• Свинцовое покрытие без свинца; соответствует требованиям RoHS
• Без галогенов в соответствии с IEC 61249-2-21