
Add to Cart
N-канальный PowerTrench
Тип полевого транзистора
|
|
|
Технологии
|
МОП-транзистор (оксид металла)
|
|
Напряжение сток-исток (Vdss)
|
|
|
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
|
|
|
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)
|
10В
|
|
Rds On (Max) @ Id, Vgs
|
70 мОм при 22 А, 10 В
|
|
Vgs(th) (макс.) @ Id
|
4,5 В при 4,4 мА
|
|
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
|
78 нКл при 10 В
|
|
VGS (макс.)
|
±30В
|
|
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
|
3090 пФ при 400 В
|
|
Полевой транзистор
|
-
|
|
Рассеиваемая мощность (макс.)
|
312 Вт (Тс)
|
|
Рабочая Температура
|
-55°C ~ 150°C (ТДж)
|
|
Тип крепления
|
|
|
Пакет устройств поставщика
|
Д²ПАК (ТО-263)
|
|
Пакет/кейс
|
Описание
SUPERFET III MOSFET — это новое семейство высоковольтных полевых МОП-транзисторов с суперпереходом (SJ) от ON Semiconductor, в котором используется технология балансировки заряда, обеспечивающая выдающееся низкое сопротивление в открытом состоянии и меньшую производительность при заряде затвора.Эта передовая технология предназначена для минимизации потерь проводимости, обеспечения превосходных характеристик переключения и
выдерживать экстремальные скорости dv/dt.Следовательно, SUPERFET III MOSFET очень хорошо подходит для различных преобразований мощности переменного тока в постоянный для миниатюризации системы и повышения эффективности.
Функции
• 700 В при TJ = 150°C
• RDS(вкл.) = 62 м (тип.)
• Сверхнизкий заряд затвора (тип. Qg = 78 нКл)
• Низкая эффективная выходная емкость (тип. Coss(eff.) = 715 пФ)
• 100% лавинное тестирование
• Эти устройства не содержат свинца и соответствуют требованиям RoHS.
Приложения
• Блоки питания для телекоммуникаций/серверов
• Промышленные источники питания
• ИБП/солнечная энергия