
Add to Cart
FDP18N50 MOSFET Силовая электроника N-Channel UniFETTMПакет ТО-220импульсные преобразователи мощности
N-канальный PowerTrench
Напряжение сток-исток (Vdss)
|
|
|
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
|
|
|
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)
|
10В
|
|
Rds On (Max) @ Id, Vgs
|
265 мОм при 9 А, 10 В
|
|
Vgs(th) (макс.) @ Id
|
5 В при 250 мкА
|
|
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
|
60 нКл при 10 В
|
|
VGS (макс.)
|
±30В
|
|
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
|
2860 пФ при 25 В
|
|
Полевой транзистор
|
-
|
|
Рассеиваемая мощность (макс.)
|
235 Вт (Тс)
|
|
Рабочая Температура
|
-55°C ~ 150°C (ТДж)
|
|
Тип крепления
|
|
|
Пакет устройств поставщика
|
ТО-220-3
|
|
Пакет/кейс
|
Функции
• RDS(on) = 220 мОм (тип.) при V GS = 10 В, ID = 9 A
• Низкий заряд затвора (тип. 45 нКл)
• Low C rss (тип. 25 пФ)
• 100% лавинное тестирование
Приложения
• ЖК/светодиодный/плазменный телевизор
• Осветительные приборы
• Бесперебойный источник питания
Описание
UniFET TM MOSFET — это семейство высоковольтных MOSFET от Fairchild Semiconductor, основанное на планарной полосовой технологии и технологии DMOS.
Этот полевой МОП-транзистор предназначен для снижения сопротивления в открытом состоянии, а также для обеспечения лучших характеристик переключения и более высокой силы лавинной энергии.Это семейство устройств подходит для импульсных преобразователей мощности, таких как коррекция коэффициента мощности (PFC), плоские дисплеи (FPD), питание телевизоров, ATX и электронные балласты ламп.