Высокопроизводительная высоковольтная производительность электроники MOSFET N-канала FCH072N60 для оптимизированной эффективности преобразования силы

Спросите последнюю цену

Номер модели :FCH072N60

Место происхождения :Оригинал

Количество минимального заказа :1

Условия оплаты :L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram

Способность поставки :999999

Срок поставки :1-3 дни

Упаковывая детали :Стандарт

Стеките к напряжению тока источника (Vdss) :600 v

Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C :52A (Tc)

Rds на (Макс) @ id, Vgs :72mOhm @ 26A, 10V

Id Vgs (th) (Макс) @ :3.5V @ 250µA

Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs :125 nC @ 10 v

Vgs (Макс) :±20V

контакт

Add to Cart

Метки товара:

50a fast rectifier diodes

Запрос Корзина 0

Тип FET	N-канал
Технология	MOSFET (металлическая окись)
Стеките к напряжению тока источника (Vdss)	600 v
Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C	52A (Tc)
Напряжение тока привода (максимальный Rds дальше, минимальный Rds дальше)	10V
Rds на (Макс) @ id, Vgs	72mOhm @ 26A, 10V
Id Vgs (th) (Макс) @	3.5V @ 250µA
Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs	125 nC @ 10 v
Vgs (Макс)	±20V
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds	5890 pF @ 380 v
Особенность FET	-
Диссипация силы (Макс)	481W (Tc)
Рабочая температура	-55°C \| 150°C (TJ)
Устанавливать тип	Через отверстие
Пакет прибора поставщика	TO-247-3
Пакет/случай	TO-247-3