
Add to Cart
Технологии
|
МОП-транзистор (оксид металла)
|
|
Напряжение сток-исток (Vdss)
|
|
|
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
|
|
|
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)
|
4,5 В, 10 В
|
|
Rds On (Max) @ Id, Vgs
|
2,8 мОм при 24 А, 10 В
|
|
Vgs(th) (макс.) @ Id
|
3 В при 1 мА
|
|
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
|
47 нКл при 10 В
|
|
VGS (макс.)
|
±20В
|
|
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
|
3000 пФ при 15 В
|
|
Полевой транзистор
|
-
|
|
Рассеиваемая мощность (макс.)
|
2,5 Вт (Та), 50 Вт (Тс)
|
|
Рабочая Температура
|
-55°C ~ 150°C (ТДж)
|
|
Тип крепления
|
|
|
Пакет устройств поставщика
|
8-ПКФН (5х6)
|
|
Пакет/кейс
|
Список продуктов:
FDMS8025S N-канальный полевой МОП-транзистор с улучшенным режимом работы
Производитель: ON Semiconductor
Параметры:
• Напряжение сток-исток: -20 В
• Непрерывный ток стока: -25А
• RDS (вкл.): -25 мОм
• Рассеиваемая мощность: -60 Вт
• Рабочая температура: от -55°C до +150°C
• Упаковка: -ТО-263