NTHD3101FT1G 8-SMD MOSFET Транзистор силовой электроники для высокочастотных коммутационных приложений

Спросите последнюю цену

Номер модели :NTHD3101FT1G

Место происхождения :Оригинал

Количество минимального заказа :1

Условия оплаты :L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram

Способность поставки :999999

Срок поставки :1-3 дни

Упаковывая детали :Стандарт

Стеките к напряжению тока источника (Vdss) :20 v

Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C :3.2A (Tj)

Напряжение тока привода (максимальный Rds дальше, минимальный Rds дальше) :1.8V, 4.5V

Rds на (Макс) @ id, Vgs :80mOhm @ 3.2A, 4.5V

Id Vgs (th) (Макс) @ :1.5V @ 250µA

Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs :7,4 nC @ 4,5 v

контакт

Add to Cart

Метки товара:

smd power mosfet

Запрос Корзина 0

Напряжение сток-исток (Vdss)	20 В
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	3,2 А (ТДж)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	1,8 В, 4,5 В
Rds On (Max) @ Id, Vgs	80 мОм при 3,2 А, 4,5 В
Vgs(th) (макс.) @ Id	1,5 В при 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	7,4 нКл при 4,5 В
VGS (макс.)	±8В
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	680 пФ при 10 В
Полевой транзистор	Диод Шоттки (изолированный)
Рассеиваемая мощность (макс.)	1,1 Вт (Та)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (ТДж)
Тип крепления	Поверхностное крепление
Пакет устройств поставщика	ЧипФЕТ™
Пакет/кейс	8-SMD, плоский вывод