Главная / продукты / MOSFET Power Electronics / Обязанность ворот низкого На-сопротивления высокой эффективности транзистора силы MOSFET SI2347DS-T1-BE3 низкая для улучшенного представления /

show pictures

Категории продукта

Programmable обломок IC

Обломок IC интегральной схемаы

Блок микроконтроллера MCU

Электронные блоки IC откалывают

Обломоки флэш-памяти

Производительность электроники MOSFET

Модуль силы IGBT

Транзистор диода IC

контакт

Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

Посетите вебсайт

Город:shenzhen

Страна/регион:china

Контактное лицо:jack

контактная информация

контакт

Обязанность ворот низкого На-сопротивления высокой эффективности транзистора силы MOSFET SI2347DS-T1-BE3 низкая для улучшенного представления

Обязанность ворот низкого На-сопротивления высокой эффективности транзистора силы MOSFET SI2347DS-T1-BE3 низкая для улучшенного представления

продукты подробные

Перечисление продукта: MOSFET N-канала SQM120P10_10M1LGE3 Особенности: • напряжение тока Сток-источника 100V • непрерывное течение стока 10A • ...

список продуктов, подробные →

Метки товара:

Лист с данными мосфета мощности лист данных силовых транзисторов Лист с данными по энергопотреблению

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4